[发明专利]辐射检测器

说明书

本文公开了一种辐射检测器(100)，包括：包括电极的辐射吸收层(110)；将所述电极的电压与第一阈值(VI)进行比较的电压比较器(301)；计数器(320)，其记录由所述辐射吸收层(110)吸收的辐射光子的数量；控制器(310)；以及电压计(306)。所述控制器(310)被配置成从所述电压比较器(301)确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值(VI)的绝对值的时刻起开始时间延迟(TDI)。所述控制器(310)被配置成在所述时间延迟(TDI)期满时使所述电压计(306)测量电压。所述控制器(310)被配置成通过将由所述电压计(306)测量的电压除以单个光子在所述电极上所引起的电压，来确定光子数量。所述控制器(310)被配置成基于所述光子数量使所述计数器(320)所记录的数字增加。

【技术领域】

本发明涉及辐射检测器，特别涉及半导体X射线检测器。

【背景技术】

辐射检测器是测量辐射属性的装置。所述属性的例子可包括辐射强度的空间分布、相位、偏振。所述辐射可以是与主体相互作用的辐射。例如，由辐射检测器测量的辐射可以是穿透主体或从主体反射的辐射。辐射可以是电磁辐射，比如红外光、可见光、紫外光、X射线或γ射线。辐射可以是其它类型，比如α射线和β射线。

一种类型的辐射检测器是基于辐射和半导体之间的相互作用。例如，这种类型的辐射检测器可以具有吸收辐射，并产生载流子(例如，电子和空穴)的半导体层以及用于检测载流子的电路。

【发明内容】

本发明公开了一种辐射检测器，包括：包括电极的辐射吸收层；电压比较器，该电压比较器被配置成将电极的电压与第一阈值进行比较；计数器，该计数器被配置成记录由所述辐射吸收层吸收的辐射的光子数；控制器；电压计；其中，所述控制器被配置成从所述电压比较器确定电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值时刻起启动时间延迟；其中，所述控制器被配置成在所述时间延迟结束时使所述电压计测量所述电压；其中，所述控制器被配置成：通过将由所述电压计测量的电压除以单个光子在所述电极上引起的电压，来确定光子数量；其中，所述控制器被配置成基于光子数量使所述计数器所记录的数字增加。

根据实施例，所述辐射检测器进一步包括电容器模组，该电容器模组电连接到电极，其中，该电容器模组被配置成从所述电极收集载流子。

根据实施例，所述控制器被配置成将所述电极连接到电接地。

根据实施例，所述控制器被配置成在时间延迟开始时停用所述电压比较器。

根据实施例，所述第一阈值是单个光子在所述电极上产生的电压的5-10％。

根据实施例，所述辐射吸收层包括二极管。

根据实施例，所述辐射吸收层包括硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合。

根据实施例，所述仪器不包括闪烁体。

根据实施例，所述仪器包括像素阵列。

本文公开了一种包括任何一种上述辐射检测器以及X射线源的系统，其中所述系统被配置成对人体胸部或腹部进行X射线照相。

本文公开了一种包括任何一种上述辐射检测器以及X射线源的系统，其中所述系统被配置成对人的嘴巴进行X射线照相。

本文公开了一种包括任何一种上述辐射检测器以及X射线源的货物扫描或非侵入性检查(NII)系统，其中，所述货物扫描或非侵入性检查(NII)系统被配置成使用背散射X射线形成图像。

本文公开了一种包括任何一种上述辐射检测器以及X射线源的货物扫描或非侵入性检查(NII)系统，其中，所述货物扫描或非侵入性检查(NII)系统被配置成使用穿过被检查物体的X射线形成图像。

本文公开了一种包括任何一种上述辐射检测器以及X射线源的全身扫描系统。