[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管基板、液晶显示装置以及薄膜晶体管基板的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，具备：

栅电极，配设于基板上；

第1绝缘膜，覆盖所述栅电极；

第1半导体层，配设于所述栅电极上的所述第1绝缘膜上，在俯视时与作为所述栅电极上的所述第1绝缘膜的一部分的部分区域邻接；

源电极及漏电极，至少一方配设于所述第1绝缘膜及所述第1半导体层上，在俯视时隔着所述部分区域；

第2绝缘膜，除了所述源电极的一部分及所述漏电极的一部分以外配设于所述源电极及所述漏电极上，在所述部分区域上方设置有开口部；以及

第2半导体层，配设于所述第2绝缘膜上，与所述源电极的所述一部分及所述漏电极的所述一部分接触，并且经由所述开口部与所述部分区域及所述第1半导体层接触。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，

所述第1半导体层以及所述第2半导体层包含氧化物半导体。

3.根据权利要求1或者2所述的薄膜晶体管，其中，

所述第1半导体层的载流子密度高于所述第2半导体层的载流子密度。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的薄膜晶体管，其中，

还具备配设于所述第2半导体层上的第3绝缘膜。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的薄膜晶体管，其中，

在所述第1半导体层配设于所述源电极下的情况下，所述第1半导体层在俯视时从所述源电极向所述部分区域侧露出地配设，

在所述第1半导体层配设于所述漏电极下的情况下，所述第1半导体层在俯视时从所述漏电极向所述部分区域侧露出地配设。

6.一种薄膜晶体管基板，具备：

权利要求1至4中的任意一项所述的薄膜晶体管；

所述基板；

栅布线及源布线，在所述基板上交叉，与所述薄膜晶体管连接；

像素电极，配设于由所述栅布线和所述源布线规定的区域，与所述漏电极接触，包括第3半导体层；以及

相向电极，在所述像素电极上方以与所述像素电极绝缘的状态配设，包括第4半导体层，

所述像素电极的所述第3半导体层与所述第1半导体层同层，

所述相向电极的所述第4半导体层与所述第2半导体层同层。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其中，

还具备配设于所述源布线下且与所述第3半导体层同样的半导体层。

8.根据权利要求6或者7所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述相向电极具有多个狭缝开口部或者具有梳齿形状。

9.一种液晶显示装置，具备：

权利要求6至8中的任意一项所述的薄膜晶体管基板；以及

相向基板，在与所述薄膜晶体管基板之间夹持液晶层。

10.根据权利要求9所述的液晶显示装置，其中，

还具备配设于所述薄膜晶体管基板上且包括与所述薄膜晶体管同样的薄膜晶体管的驱动电路。