[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、键合金属层、反射层、第一导电层、活性层、第二导电层、至少一个第一电极以及至少一个第二电极；其中：

所述键合金属层设置在所述衬底的一侧；

所述反射层设置在所述键合金属层远离所述衬底的一侧，所述键合金属层和反射层之间绝缘阻断；

所述第二导电层设置在所述反射层远离所述键合金属层的一侧；

所述活性层设置在所述第二导电层远离所述反射层的一侧；

所述第一导电层设置在所述活性层远离所述第二导电层的一侧；

所述第一电极从所述键合金属层远离所述衬底的一侧依次贯穿所述反射层、所述第二导电层以及所述活性层并延伸至所述第一导电层，与所述键合金属层以及第一导电层连接，所述第一电极与所述反射层、第二导电层以及活性层绝缘阻断；以及

所述第二电极贯穿所述衬底以及键合金属层与所述反射层连接，所述第二电极与所述键合金属层及衬底绝缘阻断；

其中，所述半导体器件还包括：所述第一导电层远离所述活性层的一侧设置有至少贯通所述第一导电层、活性层、第二导电层以及反射层的至少一个沟槽，所述沟槽将所述半导体器件分隔成不同的像素单元。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

至少一个从所述键合金属层贯通至所述第一导电层的第一填充槽，所述第一填充槽部分贯穿所述第一导电层，所述第一电极位于所述填充槽的内部并连接所述第一导电层及所述键合金属层；

至少一个从所述衬底远离所述键合金属层的一侧贯通至所述反射层的第二填充槽，所述第二电极位于所述第二填充槽并与所述键合金属层连接；以及

所述第一填充槽的侧壁和所述第一电极之间具有绝缘材料以实现所述第一电极与所述反射层、第二导电层以及活性层之间的绝缘阻断；

所述第二填充槽的侧壁与所述第二电极之间具有绝缘材料，以实现所述第二电极与所述键合金属层以及衬底之间的绝缘阻断；

所述键合金属层与所述反射层之间具有绝缘材料，以实现所述键合金属层与所述反射层之间的绝缘阻断。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽的底部和侧壁上设置有绝缘层。

4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

设置在所述第一导电层上的荧光粉层，所述荧光粉层采用量子点荧光粉制成。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

位于所述衬底远离所述键合金属层的一侧的至少一个连接垫，每个连接垫与一个所述第一电极连接。

6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在一基底上依次生长第一导电层、活性层、第二导电层和反射层；

在所述反射层远离所述第二导电层的一侧形成至少一个第一填充槽，所述第一填充槽完全贯穿所述第二导电层、活性层并部分贯穿所述第一导电层；

在所述反射层远离第二导电层的一侧生长一层绝缘材料；

在所述第一填充槽中制作第一电极，所述第一电极与所述反射层、第二导电层以及活性层绝缘阻断，并使所述第一电极与所述第一导电层连接；

在所述反射层远离所述第二导电层的一侧形成键合金属层和衬底，其中所述第一电极从所述键合金属层远离所述衬底的一侧依次贯穿所述反射层、第二导电层以及活性层并延伸至所述第一导电层，从而与所述键合金属层以及第一导电层连接；

从所述衬底远离所述反射层的一侧形成依次贯通所述衬底以及键合金属层的至少一个第二填充槽；

在所述第二填充槽中制作第二电极，使所述第二电极与所述反射层接触并与所述键合金属层以及衬底绝缘阻断；

其中，所述半导体器件的制造方法还包括：

去除所述基底，从所述第一导电层远离所述活性层的一侧形成至少贯通所述第一导电层、活性层、第二导电层以及反射层的至少一个沟槽，所述沟槽将所述半导体器件分隔成不同的像素单元。