[发明专利]用于涂覆基板的溅射沉积设备和执行溅射沉积工艺的方法

权利要求书

1.一种溅射沉积设备(100)，包括：

多个阴极组件(110)，所述多个阴极组件被配置为用于在溅射沉积工艺中溅射靶材材料，其中所述多个阴极组件中的每个包括可旋转的靶材和布置在所述可旋转的靶材中的磁体组件，其中所述多个阴极组件包括最外阴极组件(112)；

多个阳极元件(160)，所述多个阳极元件被配置为用于影响在所述溅射沉积工艺中产生的等离子体(190)，其中所述多个阳极元件包括最外阳极元件(162)；以及

辅助磁体组件(172)，

其中所述最外阴极组件、所述最外阳极元件和所述辅助磁体组件按此顺序布置，其中所述辅助磁体组件被配置为用于提供磁场以补偿在所述等离子体的外部区域(192)处的边界效应。

2.如权利要求1所述的溅射沉积设备，其中所述辅助磁体组件没有布置在阴极组件中。

3.如权利要求1所述的溅射沉积设备，其中所述辅助磁体组件布置在虚设阴极组件(302)中。

4.如权利要求1至3中任一项所述的溅射沉积设备，其中所述辅助磁体组件可相对于所述多个阴极组件和/或可相对于所述多个阳极元件移动。

5.如权利要求1至3中任一项所述的溅射沉积设备，其中从所述辅助磁体组件到所述最外阳极元件的距离(482)和/或从所述最外阳极元件到所述最外阴极组件的所述磁体组件的距离(484)可以是从所述辅助磁体组件到所述最外阴极组件的所述磁体组件的距离的30％到70％。

6.如权利要求1至5中任一项所述的溅射沉积设备，其中所述多个阴极元件和所述多个阳极元件交替地布置。

7.如权利要求1至6中任一项所述的溅射沉积设备，其中所述多个阴极组件包括第二阴极组件(114、416)，并且所述多个阳极元件包括第二阳极元件(166、464)，

其中所述第二阴极组件和所述最外阴极组件是所述多个阴极组件中的相邻阴极组件，并且所述第二阳极元件和所述最外阳极元件是所述多个阳极元件中的相邻阳极元件，

其中所述第二阴极组件、所述第二阳极组件、所述最外阴极组件、所述最外阳极元件和所述辅助磁体组件按此顺序布置。

8.如权利要求1至7中任一项所述的溅射沉积设备，其中所述多个阳极元件包括多个阳极棒。

9.如权利要求1至8中任一项所述的溅射沉积设备，其中所述辅助磁体组件的磁体取向基本上平行于所述最外阴极组件的所述磁体组件的磁体取向。

10.如权利要求1至9中任一项所述的溅射沉积设备，进一步包括：

另一个辅助磁体组件(174)，

其中所述多个阴极组件包括另一个最外阴极组件(114)，所述多个阳极元件包括另一个最外阳极元件(164)，

其中所述另一个最外阴极组件、所述另一个最外阳极元件和所述另一个辅助磁体组件按此顺序布置，其中所述另一个辅助磁体组件被配置为用于提供磁场以补偿在所述等离子体的另一个外部区域(194)处的边界效应。

11.如前述权利要求中任一项所述的溅射沉积设备，其中所述辅助磁体组件和所述另一个辅助磁体组件布置在所述多个阴极组件的相对端上。

12.一种执行溅射沉积工艺的方法，包括：

提供等离子体(190)；

用多个阴极组件(110)溅射靶材材料；

用布置在所述多个阴极组件中的多个磁体组件影响所述等离子体；

用多个阳极元件(160)影响所述等离子体；以及

在所述等离子体的外部区域(192)处提供辅助磁场以补偿边界效应。

13.如权利要求12所述的方法，进一步包括：

提供工艺气体，

其中所述辅助磁场由辅助磁体组件(172)提供，其中所述辅助磁体组件与所述工艺气体接触。