[发明专利]成膜方法和卷绕式成膜装置

说明书

本发明提供成膜方法和卷绕式成膜装置。本发明的一个方式的成膜方法包含预处理，该预处理是对真空容器进行排气直至真空容器内的水分压变成目标值以下的处理。通过向配置在上述真空容器内的第一铬靶与第二铬靶之间施加交流电压而使等离子体产生。在与上述第一铬靶和上述第二铬靶相向配置的挠性基板的成膜面形成铬层。本发明能够抑制挠性基板的变形。

技术领域

本发明涉及成膜方法和卷绕式成膜装置。

背景技术

在基材上图案形成有多层结构的金属布线的电子元件等中，存在在基材与金属布线之间形成粘合层的情况。

例如，有预先在基材上形成作为粘合层的铬(Cr)层并在该铬层上形成多层膜的技术(例如，参见专利文献1)。在该技术中，为了提高作为粘合层的铬层的功能而使铬层的内部应力减少。例如，将对铬层进行成膜时的氧浓度设定得低，在基材与多层膜之间形成有减小了内部应力的铬层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-126807号公报。

发明内容

发明要解决的课题

但是，即使降低成膜中的氧浓度，也有因成膜条件而使得铬层的内部应力增高的情况。而且，当铬层的基底为柔性的挠性基板时，挠性基板受到铬层的影响而变形。

鉴于如上述这样的情况，本发明的目的在于，提供一种通过在挠性基板上形成抑制了内部应力的铬层从而抑制挠性基板的变形的成膜方法和卷绕式成膜装置。

用于解决课题的方案

为了实现上述目的，本发明的一个方式的成膜方法包含预处理，该预处理是对真空容器进行排气直至上述真空容器内的水分压变成目标值以下的处理。通过向配置在上述真空容器内的第一铬靶与第二铬靶之间施加交流电压而使等离子体产生。在与上述第一铬靶和上述第二铬靶相向配置的挠性基板的成膜面形成铬层。

根据这样的成膜方法，在真空容器内的水分压变成目标值以下的状态下，在挠性基板的成膜面形成铬层。由此，能抑制铬层与水的反应，不易在铬层内形成铬氧化物。并且，铬层是由通过向第一铬靶与第二铬靶之间施加交流电压而产生的等离子体形成的。由此，溅射粒子容易从更随机的方向射入挠性基板。其结果是，能够尽量抑制形成有铬层的挠性基板的变形。

在上述成膜方法中，可以是，上述目标值为3.0×10^-4Pa，水分压设定为3.0×10^-4Pa以下。

由此，在真空容器内的水分压为3.0×10^-4Pa以下的状态下，在挠性基板的成膜面形成铬层，能够尽量抑制形成有铬层的挠性基板的变形。

在上述成膜方法中，可以在上述预处理中将上述挠性基板加热至60℃以上且180℃以下。

由此，作为预处理，上述挠性基板加热至60℃以上且180℃以下，即使在挠性基板的成膜面形成铬层，也能尽量抑制挠性基板的变形。

在上述成膜方法中，可以在上述预处理中，向上述第一铬靶与上述第二铬靶之间施加上述交流电压来实施预放电。

由此，作为预处理，在上述第一铬靶与上述第二铬靶之间实施预放电，即使在挠性基板的成膜面形成铬层，也能尽量抑制挠性基板的变形。

在上述成膜方法中，可以在形成上述铬层的工序中，使用10kHz以上且100kHz以下的频率作为上述交流电压的频率。

由此，在形成上述铬层的工序中，使用10kHz以上且100kHz以下的频率作为上述交流电压的频率，即使在挠性基板的成膜面形成铬层，也能尽量抑制挠性基板的变形。