[发明专利]氧化铈研磨粒在审
| 申请号： | 201780081137.6 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110168040A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 衣田幸司;大井信 | 申请（专利权）人： | 花王株式会社 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;C09G1/02;H01L21/304;B24B37/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨粒 氧化铈 研磨 露出量 研磨剂 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化铈研磨粒，其用于研磨剂，氧化铈研磨粒表面的{100}面的露出量为30％以上。
2.根据权利要求1所述的氧化铈研磨粒，其中，氧化铈研磨粒的平均一次粒径为10nm以上且150nm以下。
3.根据权利要求1或2所述的氧化铈研磨粒，其中，氧化铈研磨粒为氧化铈研磨粒中的一部分铈原子被置换为锆原子的复合氧化物粒子。
4.一种权利要求1～3中任一项所述的氧化铈研磨粒作为研磨粒子的用途。
5.一种权利要求1～3中任一项所述的氧化铈研磨粒在研磨中的用途。
6.一种研磨液组合物，其包含权利要求1～3中任一项所述的氧化铈研磨粒以及水系介质。
7.根据权利要求6所述的研磨液组合物，其中，氧化铈研磨粒的含量为0.05质量％以上且5质量％以下。
8.根据权利要求6或7所述的研磨液组合物，其用于氧化硅膜的研磨。
9.一种半导体基板的制造方法，其包括：
使用权利要求6～8中任一项所述的研磨液组合物对被研磨基板进行研磨的工序。
10.一种基板的研磨方法，其包括：
使用权利要求6～8中任一项所述的研磨液组合物对被研磨基板进行研磨的工序。
11.一种半导体装置的制造方法，其包括：
使用权利要求6～8中任一项所述的研磨液组合物对被研磨基板进行研磨的工序。
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