[发明专利]用于无过孔波束成形器的电路和技术在审

专利信息
申请号: 201780080773.7 申请日: 2017-12-22
公开(公告)号: CN110114937A 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: T·V·斯基纳;J·P·黑文;P·M·埃诺;A·阿克尤尔特鲁;C·R·赖斯塔德 申请(专利权)人: 雷声公司;马萨诸塞大学
主分类号: H01P5/16 分类号: H01P5/16;H01Q21/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 石艳玲
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 电路元件 波束成形器 电路布局 电路 分配器电路 混合耦合器 反应场 合成器 模态 操作选择 电路特征 反应耦合 加权系数 理论选择 设计特征 响应
【权利要求书】:

1.一种无过孔波束成形器,包括:

多个电路,所述多个电路中的每一个具有被选择以减轻所述多个电路之间的不希望的反应耦合的电路布局,所述多个电路中的至少一个包括:

分配器/合成器电路,其包括:

第一信号路径,其具有与所述波束成形器的第一端口相对应的第一末端并且具有第二末端;

第一对信号路径,所述第一对信号路径中的每一个具有半径,

并且具有与所述第一信号路径的第二末端耦合的第一末端;

第二对信号路径,所述第二对信号路径中的每一个具有半径,

并且具有第一末端和第二末端,其中所述第一对信号路径的第二末端与所述第二对信号路径中的相应信号路径的第一末端耦合;以及

第三对信号路径,其具有第一末端和第二末端,其中所述第二对信号路径中的相应信号路径的第二末端与所述第三对信号路径中的相应信号路径的第一末端耦合,并且其中所述第三对信号路径的第二末端与所述分配器/合成器电路的第二端口和第三端口相对应。

2.根据权利要求1所述的无过孔波束成形器,其中所述第三对信号路径中的每一个被设置有在其靠近所述第三对信号路径的第一末端的部分处的半径。

3.根据权利要求2所述的无过孔波束成形器,其中所述多个电路中的至少一个被设置有基于反应场理论选择的电路布局。

4.根据权利要求3所述的方法,其中所述多个电路中的至少一个具有通过以下操作选择的电路布局:确定哪些电路特征响应于向其提供的信号而产生反应场,将总场分为模态集,并且基于所述多个电路中的一个或多个的几何和/或设计特征来确定模态加权系数。

5.根据权利要求1所述的无过孔波束成形器,其中一个或多个电路是使用增材制造(AM)技术制造的。

6.根据权利要求1所述的无过孔波束成形器,其中所述分配器/合成器电路是N:1分配器/合成器电路,其中N是二的整数倍。

7.根据权利要求1所述的无过孔波束成形器,其中所述分配器/合成器电路包括以级联布置耦合的多个2:1威尔金森分配器/合成器电路。

8.根据权利要求1所述的无过孔波束成形器,其中所述多个电路中的至少一个包括分支混合耦合器,所述分支混合耦合器包括多条传输线和多个分支,所述传输线中的每一条具有至少两个具有不同宽度的区段。

9.一种无过孔波束成形器,包括:

多个无过孔电路元件,所述多个无过孔电路元件中的每一个具有被选择以减轻所述多个无过孔电路元件之间的不希望的反应耦合的电路布局,所述多个无过孔电路元件中的至少一个与无过孔分支混合耦合器电路相对应,所述至少一个无过孔分支混合耦合器电路中的每一个包括:

多条传输线,每条传输线具有至少两个具有不同宽度的区段;以及

多个分支,每个分支具有与多条分支混合耦合器传输线的宽度不同的宽度,并且其中所述多条传输线中的一条的第一末端与所述无过孔波束成形器的第一端口相对应,并且所述多条传输线中的一条的第二末端与所述多个无过孔电路元件中的一个耦合。

10.根据权利要求9所述的无过孔波束成形器,其中所述多条分支混合耦合器电路传输线中的一条的第二末端与第二无过孔分支混合耦合器电路耦合。

11.根据权利要求10所述的无过孔波束成形器,其中所述至少一个无过孔分支混合耦合器电路中的每一个具有基于反应场理论选择的电路布局。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述无过孔分支混合耦合器电路中的至少一个具有通过以下操作选择的电路布局:

确定所述无过孔分支混合耦合器电路的哪些电路特征响应于向其提供的信号而产生反应场;

将总场分为模态集;以及

基于所述无过孔分支混合耦合器电路的几何和/或设计特征来确定模态加权系数。

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