[发明专利]结晶太阳能电池以及用于制造这种太阳能电池的方法

权利要求书

1.结晶太阳能电池(1)，包括半导体材料(10)的具有第一掺杂的第一区域(101)、半导体材料(10)的具有第二掺杂的第二区域(102)，从而在第一和第二区域(101、102)之间存在pn结、至少一个由第一光学非透明导电材料制成的正面触点(12)和至少一个由第二光学非透明导电材料制成的局部的背面触点(16)，所述正面触点直接或间接地在太阳能电池正面的第一横向区域(103)中导电接触半导体材料(10)的第一区域(101)，所述背面触点直接或间接地在太阳能电池背面的第一横向区域(105)中导电接触半导体材料(10)的第二区域(102)，其特征在于，在太阳能电池的正面，第一光学透明导电材料层(13)仅在第二横向区域(104)中设置在半导体材料(10)的第一区域(101)上并且与所述至少一个正面触点(12)导电连接，第一光学透明导电材料层(13)相对于半导体材料(10)的第一区域(101)具有在横向方向上更高的导电性，在第一光学透明导电材料层(13)和半导体材料(10)的第一区域(101)之间设有载流子可穿过的第一表面钝化层(11)，从而第一光学透明导电材料层(13)与半导体材料(10)的第一区域(101)间接地导电接触并且能够在太阳能电池正面的第二横向区域(104)中收集来自半导体材料(10)的第一区域(101)的载流子并且将这些载流子导向所述至少一个正面触点(12)，并且太阳能电池正面的第二横向区域(104)不同于太阳能电池正面的第一横向区域(103)。

2.根据权利要求1所述的结晶太阳能电池，其特征在于，所述第一表面钝化层(11)也设置在正面触点(12)和半导体材料(10)的第一区域(101)之间。

3.根据权利要求1或2所述的结晶太阳能电池，其特征在于，在太阳能电池背面的第二横向区域(106)中电绝缘材料层(15)设置在半导体材料(10)的第二区域(102)上，从而半导体材料(10)的第二区域(102)在第二横向区域(106)中电绝缘，太阳能电池背面的第二横向区域(106)不同于太阳能电池背面的第一横向区域(105)。

4.根据权利要求1或2所述的结晶太阳能电池，其特征在于，在太阳能电池背面的第二横向区域(106)中第二光学透明导电材料层(19)设置在半导体材料(10)的第二区域(102)上并且与所述至少一个背面触点(16)导电连接，第二光学透明导电材料层(19)与半导体材料(10)的第二区域(102)直接或间接地导电接触，并且太阳能电池背面的第二横向区域(106)不同于太阳能电池背面的第一横向区域(105)。

5.根据权利要求4所述的结晶太阳能电池，其特征在于，所述第二光学透明导电材料也设置在半导体材料(10)的第二区域(102)和背面触点(16)之间。

6.根据权利要求4所述的结晶太阳能电池，其特征在于，在第二光学透明导电材料层(19)和半导体材料(10)的第二区域(102)之间和/或在背面触点(16)和半导体材料(10)的第二区域(102)之间设有载流子可穿过的第二表面钝化层(18)。

7.根据权利要求1所述的结晶太阳能电池，其特征在于，所述第一和/或第二光学透明导电材料选自包括氧化铟锡、氧化氟锡、氧化锑锡、氧化铝锌和氧化硼锌的组。

8.根据权利要求1所述的结晶太阳能电池，其特征在于，所述第一光学透明导电材料层(13)和/或第二光学透明导电材料层(19)具有10至100nm范围内的厚度。

9.根据权利要求1所述的结晶太阳能电池，其特征在于，所述第一和第二光学非透明导电材料选自包括铝、银、铜、镍、钒及其组合和合金的组。

10.根据权利要求1所述的结晶太阳能电池，其特征在于，所述第一和/或第二表面钝化层(11、18)具有1至20nm范围内的厚度并且由选自包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和氧化铝的组的材料制成。