[发明专利]喷嘴组件和用于制造大气等离子体射流的装置有效

专利信息
申请号: 201780080158.6 申请日: 2017-12-21
公开(公告)号: CN110178449B 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 赛义德·萨曼·阿萨德;安德里亚斯·利伯特;克里斯蒂安·布斯克 申请(专利权)人: 等离子体处理有限公司
主分类号: H05H1/34 分类号: H05H1/34
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 张凯;张杰
地址: 德国施*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 喷嘴 组件 用于 制造 大气 等离子体 射流 装置
【权利要求书】:

1.用于产生大气等离子体射流(12)的装置(40,40’,40”,40”’,100,110)的喷嘴组件(42,42’,42”,42”’),所述喷嘴组件

-具有入口(48),大气等离子体射流(12)通过所述入口引入喷嘴组件(42,42’,42”,42”’)中,并且

-具有通道(56,56”’),所述通道与所述入口(48)连接,使得通过入口(48)引入喷嘴组件(42,42’,42”,42”’)中的等离子体射流(12)通过通道(56)引导,

-其中沿通道(56,56”’)在通道壁中设置多个喷嘴开口(62),通过所述通道(56,56”’)引导的等离子体射流(12)通过所述多个喷嘴开口从喷嘴组件(42,42’,42”,42”’)中喷出,

其特征在于,

-在所述喷嘴开口(62)区域中的通道(56,56”’)的横截面(124’,124”,124”’,140,142,144)成形为,使得在所述横截面的穿过喷嘴开口(62)的虚拟第一切平面(130)和所述横截面的虚拟第二切平面(132)之间的中心延伸的虚拟中间平面(134)将所述横截面划分为喷嘴开口(62)处的第一横截面区域(126’,126”,126”’)和与喷嘴开口(62)相对的第二横截面区域(128’,128”,128”’),所述第二切平面(132)与所述第一切平面(130)相对而置并且平行于所述第一切平面,并且

-所述第一横截面区域(126’,126”,126”’)的横截面积与第二横截面区域(128’,128”,128”’)的横截面积不同。

2.根据权利要求1所述的喷嘴组件,其特征在于,所述第一横截面区域的横截面积与第二横截面区域的横截面积的差值至少为5%。

3.根据权利要求1所述的喷嘴组件,其特征在于,所述第一横截面区域的横截面积与第二横截面区域的横截面积的差值至少10%。

4.根据权利要求1所述的喷嘴组件,其特征在于,所述通道(56,56”’)具有直的区段,并且所述喷嘴开口(62)在所述通道(56,56”’)的延伸方向上布置在所述通道壁中。

5.根据权利要求1所述的喷嘴组件,其特征在于,所述通道(56,56”’)在两侧与所述入口(48)连接,由此通过所述入口(48)引入所述喷嘴组件(42)的等离子体射流(12)从两侧引导到所述通道(56,56”’)中。

6.根据权利要求1所述的喷嘴组件,

其特征在于,通道(56,56”’)的横截面随着与入口(48)的距离的增加而变宽。

7.根据权利要求1所述的喷嘴组件,

其特征在于,喷嘴组件(42,42',42”,42”’)多件式形成,所述喷嘴组件包括:喷嘴元件(52,52',52”,52”’),所述喷嘴元件具有含喷嘴开口(62)的通道(56,56”’);分配元件(50,50',50”’),所述分配元件包括分配通道(66),通过所述分配通道将通过入口(48)引入的等离子射流(12)在一侧或两侧上引导至通道(56,56”’)中。

8.根据权利要求7所述的喷嘴组件,

其特征在于,第二横截面区域(128’,128”,128”’)的横截面积大于第一横截面区域(126’,126”,126”’)的横截面积。

9.根据权利要求1所述的喷嘴组件,

其特征在于,喷嘴组件(42,42’,42”,42”’)为多件式的,所述喷嘴组件具有第一部分(52,52’,52”,52”’),在所述第一部分的表面中引入第一凹口(120’,120”,120”’),并且具有第二部分(50,50’,50”’),在所述第二部分的表面中引入第二凹口(122’,122”,122”’),其中第一和第二部分相邻,使得第一和第二凹口彼此相对而置并形成通道(56,56’,56”,56”’)。

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