[发明专利]氙吸附剂

说明书

提供一种即使在低浓度下也能效率良好地从混合气体吸附氙的氙吸附剂。一种氙吸附剂，其特征在于，含有沸石，所述沸石的孔径为的范围、且二氧化硅/氧化铝的摩尔比为10～30的范围。

技术领域

本发明涉及氙吸附剂。本发明的氙吸附剂在例如选择性吸附来自混合气体的氙并回收的用途中是有用的。

背景技术

作为氙的用途，可以举出如专利文献1中记载的医疗行业中的麻醉气体、医学图像、离子推进发动机(宇宙空间)、平板显示器(等离子体)和高亮度放电(HID)光。

另外，如专利文献2中所记载的制造半导体集成电路、液晶面板、太阳能电池面板、磁盘等半导体制品的工序中也使用氙，近年来，为了进行更高度的处理，氙的用量增加。

然而，氙为大气的微量成分(87ppb)，为了通过从空气分离而得到，得到1L的氙需要11000000L的空气。因此，氙成为非常昂贵的气体。

因此，要求从包含氙的混合气体吸附回收氙。

专利文献1中，作为Xe/N2选择比低于65的吸附剂，列举了氧化铝、沸石、硅胶和活性炭，但未示例具体的吸附剂。

专利文献2中，作为用于吸附作为易吸附成分的氙的吸附剂，公开了活性炭、Na-X型沸石、Ca-X型沸石、Ca-A型沸石、Li-X型沸石，但作为用于吸附低浓度的氙的吸附剂，不能说具有充分的性能。

作为氙吸附剂，专利文献3中公开了银离子交换ZSM5，专利文献4中公开了Ca-X型沸石或Na-Y型沸石，但作为用于吸附低浓度的氙的吸附剂，不能说具有充分的性能。

另外，专利文献5中，作为氙吸附剂，列举了孔径以上的合成沸石、孔径以上的分子筛碳，但未示例具体的吸附剂。

这些吸附剂可以说均不具有作为特别用于吸附低浓度的氙的吸附剂的充分的性能。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本国专利第5449289号

专利文献2：日本国特开2006-61831号

专利文献3：日本国专利第5392745号

专利文献4：日本国专利第3824838号

专利文献5：日本国特开2008-137847号

发明内容

发明要解决的问题

本发明提供与以往的氙吸附剂相比特别是低浓度的氙吸附量大、进而对作为空气成分之一的氮气的选择性高的氙吸附剂。本发明的氙吸附剂能从混合气体有效地吸附氙。

用于解决问题的方案

本发明人等为了解决上述课题而深入研究，结果发现：作为氙吸附剂，孔径为的范围、且二氧化硅/氧化铝的摩尔比为10～30的范围的沸石优异，完成了本发明。

即，本发明在于以下的[1]至[6]。

[1]一种氙吸附剂，其特征在于，含有沸石，所述沸石的孔径为的范围、且二氧化硅/氧化铝的摩尔比为10～30的范围。

[2]根据上述[1]所述的氙吸附剂，其特征在于，包含选自锂、钠、钾、镁、钙、锶、钡、铁、铜、银中的至少1种作为沸石中所含的金属成分。

[3]根据上述[1]或[2]所述的氙吸附剂，其特征在于，金属成分相对于沸石的铝为0.1～1.0当量(对于价数n的金属离子，所述当量为在金属/Al摩尔比上乘以金属的价数n而得到的值)。