[发明专利]量测传感器、光刻设备和用于制造器件的方法有效
| 申请号: | 201780078819.1 | 申请日: | 2017-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN110088688B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
| 发明(设计)人: | 塞巴斯蒂安努斯·阿德里安努斯·古德恩;N·潘迪;D·阿克布卢特;亚历山德罗·波洛;S·R·胡伊斯曼 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王益 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 传感器 光刻 设备 用于 制造 器件 方法 | ||
1.一种量测传感器系统,包括:
光学收集系统,所述光学收集系统配置成收集来自衬底上的量测标记的衍射辐射或散射辐射,被收集的辐射包括至少一个参数敏感信号和至少一个噪声信号;
处理系统,所述处理系统能够操作以处理所述被收集的辐射;
模块壳体,所述模块壳体容纳所述处理系统;
至少一个光导,所述至少一个光导用于将与所述至少一个噪声信号分离的所述至少一个参数敏感信号从所述处理系统引导到所述壳体外部的检测系统;
至少一个检测器,所述至少一个检测器能够操作以检测分离的所述至少一个参数敏感信号;
第一遮蔽件,所述第一遮蔽件位于所述处理系统中并且具有不足以阻挡所述至少一个噪声信号的所有部分的尺寸,从而允许杂散噪声信号进入所述处理系统;以及
至少一个第二遮蔽件,所述至少一个第二遮蔽件位于所述壳体的外部并且具有足以阻挡所述杂散噪声信号的尺寸,
其中,所述第二遮蔽件位于所述光导与所述检测器之间。
2.如权利要求1所述的量测传感器系统,其中,所述第二遮蔽件位于所述光导的输出面的光瞳平面中。
3.如权利要求2所述的量测传感器系统,包括限定所述光瞳平面的光学系统。
4.如权利要求3所述的量测传感器系统,其中,所述光学系统能够操作以在所述被收集的辐射被所述至少一个检测器检测之前缩小所述被收集的辐射。
5.如权利要求1至4中任一项所述的量测传感器系统,所述量测传感器系统针对多个通道中的每一个通道包括检测器、光导和第二遮蔽件,每一个通道用于检测不同的参数敏感光学信号。
6.如权利要求1至4中任一项所述的量测传感器系统,其中,所述第二遮蔽件至少选择性地能够操作以阻挡所述至少一个噪声信号。
7.如权利要求1至4中任一项所述的量测传感器系统,其中,所述第二遮蔽件选择性地能够切换到所述参数敏感信号的路径中。
8.如权利要求1至4中任一项所述的量测传感器系统,其中,所述第二遮蔽件的大小、形状和/或灰阶强度是可调整的。
9.如权利要求1所述的量测传感器系统,其中,所述至少一个检测器包括用于检测所述至少一个参数敏感信号的至少第一检测元件和用于检测所述至少一个噪声信号的至少第二检测元件。
10.如权利要求9所述的量测传感器系统,包括在所述光导与所述至少一个检测器之间的光学器件,所述光学器件能够操作以将所述至少一个参数敏感信号引导到所述第一检测元件,并且将所述至少一个噪声信号引导到所述第二检测元件。
11.如权利要求1所述的量测传感器系统,其中,所述处理系统包括用于处理在第一波长范围内的所述被收集的辐射的第一处理子系统和用于处理在第二波长范围内的所述被收集的辐射的第二处理子系统。
12.一种制造器件的方法,其中,使用光刻过程将器件图案施加到衬底,该方法包括通过参考形成于所述衬底上的一个或更多个标记的测量的位置来定位所施加的图案,所述测量的位置是使用如权利要求1至11中任一项所述的量测传感器系统获得的。
13.一种制造器件的方法,其中,使用光刻过程将器件图案施加到衬底,该方法包括通过参考形成于所述衬底上的一个或更多个标记的测量的位置来定位所施加的图案,所述测量的位置是使用如权利要求1至8中任一项所述的量测传感器系统获得的,并且其中,所述定位包括执行粗定位步骤和精定位步骤,其中,针对所述粗定位步骤,位置被测量的所述标记的节距比针对所述精定位步骤时大;并且其中,在执行所述精定位步骤时,所述第二遮蔽件被配置为比在执行所述粗定位步骤时大。
14.一种光刻设备,用于将图案施加到衬底的,所述光刻设备包括如权利要求1至11中任一项所述的量测传感器系统。
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