[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有具备半导体开关元件的主单元区域(Rm)和感测单元区域(Rs)，利用形成于上述感测单元区域的上述半导体开关元件，检测在形成于上述主单元区域的上述半导体开关元件中流过的电流，其特征在于，

上述半导体开关元件具有：

第1导电型的漂移层(2)；

第2导电型的沟道层(3)，形成在上述漂移层上；

第1导电型的第1杂质区域(4)，形成在上述沟道层内的该沟道层的表层部，与上述漂移层相比杂质浓度高；

沟槽栅构造，在从上述第1杂质区域将上述沟道层贯通并到达上述漂移层的以一个方向为长度方向的沟槽(5)内，隔着栅极绝缘膜(6)而层叠屏蔽电极(7)以及栅极电极层(8)，成为二层构造；

第1或第2导电型的第2杂质区域(1)，夹着上述漂移层而形成在上述沟道层的相反侧，与上述漂移层相比杂质浓度高；

上部电极(10)，与上述第1杂质区域以及上述沟道层电连接，并且与上述屏蔽电极电连接；

栅极内衬(8a)，与上述栅极电极层电连接；以及

下部电极(12)，与上述第2杂质区域电连接，

上述沟槽以达到上述主单元区域和上述感测单元区域的方式连续地相连，在相连的该沟槽内，上述屏蔽电极以及上述栅极电极层也以达到上述主单元区域和上述感测单元区域的方式连续地相连，

上述屏蔽电极在上述沟槽的长度方向的一端侧被延伸设置到上述主单元区域中的从上述感测单元区域远离的一侧，从而与上述上部电极电连接，

上述栅极电极层在上述沟槽的长度方向的另一端侧被延伸设置到上述主单元区域中的从上述感测单元区域远离的一侧，从而与上述栅极内衬电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述沟道层具有形成于上述主单元区域的主沟道层(3a)和形成于上述感测单元区域的感测沟道层(3b)，是上述主沟道层和上述感测沟道层相分离的结构，

在与上述主沟道层和上述感测沟道层之间对应的位置，形成有上述栅极电极层的一部分比上述第1杂质区域向上方突出的突起部(8b)。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

上述上部电极具有形成于上述主单元区域的上述半导体开关元件的主电极(10a)和形成于上述感测单元区域的上述半导体开关元件的感测电极(10b)，

上述主单元区域构成为一部分缺失了的框体形状，并且上述感测单元区域配置在上述主单元区域内，上述感测电极(10b)与从上述主单元区域的一部分缺失了的部分引出到该主单元区域的外侧的引出布线(10c)连接。