[发明专利]涂敷处理方法、计算机存储介质和涂敷处理装置

说明书

一种在基片上涂敷涂敷液的方法，其中，在形成于基片上的涂敷液的液膜干燥之前，一边使该基片以规定的转速旋转，一边对基片上的涂敷液的该液膜上的周边部供给涂敷液的溶剂，以在该周边部形成涂敷液与溶剂的混合层，然后，使基片以比规定的转速快的转速旋转，将混合层赶到外周侧，来控制干燥后的涂敷液的膜厚。

技术领域

(相互参照相关申请)

本申请基于2016年12月22日在日本申请的特愿2016-249872号主张优先权，在此援引其内容。

本发明涉及在基片涂敷涂敷液的涂敷处理方法、计算机存储介质和涂敷处理装置。

背景技术

例如在半导体器件的制造处理中的光刻工序中，依次进行例如进行：在作为基片的半导体晶片(下面，称为“晶片”。)上涂敷规定的涂敷液形成防反射膜及抗蚀剂膜之类的涂敷膜的涂敷处理、对该抗蚀剂膜以规定的图案进行曝光的曝光处理、对曝光后的抗蚀剂膜进行显影的显影处理等，在晶片上形成了规定的抗蚀剂图案。

在上述的涂敷处理中，多使用所谓的旋涂法，即从喷嘴对旋转中的晶片的中心部供给涂敷液，涂敷液因离心力而在晶片上扩散从而在晶片上形成涂敷膜。在这样的涂敷处理中，所进行为了实现涂敷膜的面内均匀性和涂敷液的使用量削減，多进行在供给涂敷液前在晶片上涂敷稀释剂等溶剂来改善晶片的润湿性的所谓的预湿(pre-wet)处理。这样的预湿处理中的溶剂的涂敷，也是通过对晶片的中心部供给溶剂并使晶片旋转，使溶剂在晶片上扩散来进行的，但是用于预湿而供给的溶剂因晶片的旋转而干燥，因此有时涂敷液不扩至基片的端部，在该情况下，发生涂敷不均。

因此，近年来，基片表面的用于预湿而供给的溶剂因基片的旋转而干燥，因此涂敷液不扩至基片的端部，为了防止这种情况，提出了一种技术，其中还对涂敷液不扩散的基片表面上的周边部供给溶剂，提高基片的周边部处的涂敷液的流动性，使涂敷液顺畅地扩至基片的端部(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本国特开2008-307488号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，在上述的现有技术中，为所谓的低粘度的抗蚀剂涂敷时是有利的，但是，在对已形成有图案的晶片(所谓的高低差基片)表面进一步涂敷抗蚀剂时或者涂敷中粘度的抗蚀剂液时，在提高膜厚的均匀性的方面尚有改善的余地。尤其在晶片的周边部涂敷中粘度的抗蚀剂液时，存在大体上膜厚变厚的倾向，期望务必对该方面进行控制。

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于：在晶片等基片上涂敷涂敷液时，无论该基片是高低差基片或者涂敷液为中粘度的涂敷液，都能够在基片面内均匀地涂敷涂敷液。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一方式是一种在基片上涂敷涂敷液的涂敷处理方法，其中，在形成于基片上的上述涂敷液的液膜干燥之前，一边使上述基片以规定的转速旋转，一边对上述基片上的涂敷液的液膜上的周边部供给上述涂敷液的溶剂，以在该周边部形成上述涂敷液与上述溶剂的混合层，之后，使上述基片以比规定的转速快的转速旋转，将上述混合层赶到外周侧，来控制干燥后的上述涂敷液的膜厚。

依照本发明的一方式，在形成于基片上的上述涂敷液的液膜干燥之前，一边使上述基片以规定的转速旋转，一边对该基片上的涂敷液的液膜上的周边部供给涂敷液的溶剂，以在该周边部形成上述涂敷液与上述溶剂的混合层，因此在混合层中析出涂敷液的成分，之后使上述基片以比上述规定的转速快的转速旋转，将上述混合层赶到外周侧，故而能够降低比混合层靠外侧的膜厚，能够使膜厚整体均匀化。