[发明专利]固体摄像元件在审
申请号: | 201780077327.0 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN110073494A | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 筒井将史 | 申请(专利权)人: | TOWERJAZZ松下半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/359;H04N5/369;H04N5/374 |
代理公司: | 北京煦润律师事务所 11522 | 代理人: | 梁永芳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷维持 受光部 阻光膜 固体摄像元件 像素 距离比 绝缘膜 上表面 俯视 覆盖 | ||
1.一种固体摄像元件,其包括布置有多个像素的摄像区域,所述固体摄像元件的特征在于:
在各所述像素上,设有受光部、电荷维持部、栅极、第一沟槽、第一绝缘膜、第二沟槽、第二绝缘膜、转移部以及阻光膜,
所述受光部设在半导体衬底上,且通过光电转换而生成电荷,
所述电荷维持部设在所述半导体衬底上,且积蓄所述受光部所生成的电荷,
所述栅极设在所述电荷维持部上,且向所述电荷维持部转移所述受光部所生成的电荷,
所述第一沟槽形成在所述半导体衬底中所述受光部与所述电荷维持部之间的区域,
所述第一绝缘膜设在所述第一沟槽内,
所述第二沟槽形成在所述半导体衬底中互相相邻的像素的受光部之间的区域,
所述第二绝缘膜设在所述第二沟槽内,
所述转移部设在所述受光部与所述电荷维持部的交界的端部且与所述第一绝缘膜接触,所述转移部成为从所述受光部向所述电荷维持部转移电荷的转移路径,
所述阻光膜覆盖所述电荷维持部、所述转移部以及所述栅极的上表面,
俯视时,在从所述受光部朝向所述电荷维持部的方向上的从所述阻光膜的端部经由所述转移部到达所述电荷维持部为止的距离比从所述阻光膜的端部经由所述第一沟槽到达所述电荷维持部为止的距离长。
2.根据权利要求1所述的固体摄像元件,其特征在于:
所述受光部中与所述转移部接触的部分比所述受光部中面向所述电荷维持部的其他部分突出。
3.根据权利要求1或2所述的固体摄像元件,其特征在于:
所述阻光膜中设在所述转移部的上方的部分比所述阻光膜中设在所述第一沟槽的上方的部分更向所述受光部侧突出。
4.根据权利要求1到3中任一项权利要求所述的固体摄像元件,其特征在于:
所述电荷维持部中与所述转移部接触的部分中含有的n型杂质的浓度比所述电荷维持部的其他部分中含有的n型杂质的浓度高。
5.根据权利要求1到4中任一项权利要求所述的固体摄像元件,其特征在于:
所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的折射率比所述半导体衬底的折射率低。
6.根据权利要求1到5中任一项权利要求所述的固体摄像元件,其特征在于:
所述电荷维持部由形成在第一p型杂质区上的n型杂质区构成,
所述转移部由第二p型杂质区构成,所述第二p型杂质区的p型杂质浓度比所述第一p型杂质区的p型杂质浓度低。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的