[发明专利]一种分立器件的封装方法及分立器件

权利要求书

1.一种分立器件的封装方法，其特征在于，包括：

提供载体，所述载体的至少一个面上覆盖有表面金属层；

在所述表面金属层的部分区域覆盖保护膜；

对所述表面金属层的非保护膜覆盖的区域进行电镀，形成至少两个焊盘；

在至少一个焊盘上焊接芯片形成分立器件模板，所述芯片自带焊盘；

采用复合材料对所述分立器件模板进行塑封处理；

在所述至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔，并将所述盲孔处理成金属化盲孔，其中，若焊盘上焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部连接芯片，若焊盘上没有焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部连接焊盘；

对所述金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路或非闭合回路，封装出分立器件；

所述保护膜为抗镀膜；

所述非保护膜覆盖的区域为导电线路区；所述导电线路区仅包括焊盘，或，所述导电线路区包括焊盘和连接线；

所述焊盘的材质为铜、镍、金、银、锡、铅中的至少一种或者其合金中的至少一种；

其中，所述载体为两侧均为双层铜箔的基材，双层铜箔的上层为表面金属层，所述表面金属层的厚度大于1 μm，所述表面金属层的厚度小于5 μm，下层铜箔为厚度为10-50 μm的常规铜箔，两层铜箔之间有一定的粘性，以便较轻松的剥离开，其中，下层铜箔与基材紧密结合；

所述至少两个焊盘的电镀层的厚度在5 μm以上。

2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于， 所述封装方法还包括：

所述载体从所述表面金属层的底部剥离；

蚀刻所述表面金属层：所述覆盖保护膜的表面金属层的区域被蚀刻；所述非保护膜覆盖的区域的表面金属层被蚀刻，或，所述非保护膜覆盖的区域的表面金属层与电镀后的所述导电线路区留下。

3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，包括：

所述在所述表面金属层的部分区域覆盖保护膜为：在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜；

所述对所述表面金属层的非保护膜覆盖的区域进行电镀为：对所述表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少两个焊盘；所述在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜包括：

在所述表面金属层上涂覆抗蚀膜；

经过曝光和显影步骤，将所述非线路图形区域的抗蚀膜去除，使保留的抗蚀膜覆盖所述线路图形区域；所述在至少一个焊盘上焊接芯片形成分立器件模板包括：

在所述至少一个焊盘上放置芯片，并采用锡膏、镀锡、金属键合、导电胶粘接中的至少一种方式将所述芯片焊接在所述至少一个焊盘上，形成所述分立器件模板。

4.一种分立器件的封装方法，其特征在于，包括：

提供载体，所述载体的至少一个面上覆盖有表面金属层；

在所述表面金属层的部分区域覆盖保护膜；

对所述表面金属层的非保护膜覆盖的区域进行电镀，形成至少一个焊盘；

在所述至少一个焊盘上焊接分立器件的一个焊盘；

通过层压工艺，将焊接有分立器件的所述载体及表面金属层与其它线路层压合；

所述保护膜为抗镀膜；

所述非保护膜覆盖的区域为导电线路区；所述导电线路区仅包括焊盘，或，所述导电线路区包括焊盘和连接线；

所述焊盘的材质为铜、镍、金、银、锡、铅中的至少一种或者其合金中的至少一种；

其中，所述载体为两侧均为双层铜箔的基材，双层铜箔的上层为表面金属层，所述表面金属层的厚度大于1 μm，所述表面金属层的厚度小于5 μm，下层铜箔为厚度为10-50 μm的常规铜箔，两层铜箔之间有一定的粘性，以便较轻松的剥离开，其中，下层铜箔与基材紧密结合；

所述至少一个焊盘的电镀层的厚度5 μm以上。