[发明专利]用于测试电能储存系统的装置

权利要求书

1.一种用于产生开关DC电压的装置，所述装置包括变压器(1)、整流器模块(2)和DC-DC电压转换器模块(3)，其中，

a.所述变压器(1)具有第一次级电路(4)和第二次级电路(5)，

b.所述整流器模块(2)包括第一整流器(6)和第二整流器(7)，所述第一整流器(6)连接在所述第一次级电路(4)的下游，所述第二整流器(7)连接在所述第二次级电路(5)的下游，

c.所述DC-DC电压转换器模块(3)包括第一DC-DC转换器(8)和第二DC-DC转换器(9)，所述第一DC-DC转换器(8)连接在所述第一整流器(6)的下游，所述第二DC-DC转换器(9)连接在所述第二整流器(7)的下游，所述DC-DC转换器(8，9)是两级降压转换器；

其特征在于，所述第一整流器(6)和所述第二整流器(7)的参考电位(15，17)连接在一起，并且所述第一DC-DC转换器(8)和所述第二DC-DC转换器(9)的参考电位(20，21)连接在一起并且作为中点电位(MP)引出。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一整流器(6)和所述第二整流器(7)的输出(14，16)和参考电位(15，17)作为直流链路端子(10)引出，用于提供电力给外部负载。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述第一次级电路(4)和/或所述第二次级电路(5)与所述变压器(1)的初级侧(11)的传输比为1：0.94。

4.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述变压器(1)的第一次级电路(4)和第二次级电路(5)具有三相。

5.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述DC-DC转换器(8，9)设计为四脚两级降压转换器。

6.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，半导体元件IGBT(13)或MOSFET用在所述整流器(6，7)和所述DC-DC转换器(8，9)中。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置设计成用于产生幅度大于1000V的开关DC电压，其中所述整流器(6，7)和所述DC-DC转换器(8，9)中的半导体元件的阻塞电压强度小于1700V。

8.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述DC-DC转换器(8，9)在输出侧串联连接。

9.一种用于测试电能储存系统的方法，使用根据权利要求1至8中任一项所述的装置，其中所述DC-DC转换器(8，9)的电输出(12)连接到待测试的电能储存系统。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一整流器(6)和所述第二整流器(7)的输出(14，16)和参考电位(15，17)作为直流链路端子(10)引出，除了测试所述电能储存系统之外，所述直流链路端子(10)用于向外部负载提供电力。