[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质

权利要求书

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

保持基片并使其旋转的旋转保持部；

对由所述旋转保持部保持的所述基片的周缘部供给处理液的液供给部；

检测所述周缘部的温度分布的传感器；和

控制装置，其构成为能够执行如下动作：基于所述温度分布，来检测所述周缘部中附着所述处理液的区域与未附着所述处理液的区域的边界部。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括扩大附着到所述基片前的所述处理液与所述基片之间的温度差的调温部。

3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述调温部包括对所述基片进行加热的加热部。

4.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述传感器以在所述处理液到达所述基片的位置的附近，检测位于所述基片旋转的方向的区域的温度分布的方式设置。

5.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括调节所述处理液到达所述基片的位置的位置调节部，

所述控制装置构成为还能够执行如下动作：

在检测到所述边界部之后，对所述基片供给处理液的期间，控制所述位置调节部以使得基于所述边界部的位置来调节所述处理液到达所述基片的位置。

6.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

保持基片并使其旋转的步骤；

对旋转中的所述基片的周缘部供给处理液的步骤；

检测所述周缘部的温度分布的步骤；和

基于所述温度分布，来检测所述周缘部中附着所述处理液的区域与未附着所述处理液的区域的边界部的步骤。

7.如权利要求6所述的基片处理方法，其特征在于：

还包括扩大附着到所述基片前的所述处理液与所述基片之间的温度差的步骤。

8.如权利要求7所述的基片处理方法，其特征在于：

扩大附着到所述基片前的所述处理液与所述基片之间的温度差的步骤，包括对所述基片进行加热的步骤。

9.如权利要求6所述的基片处理方法，其特征在于：

检测周缘部的温度分布的步骤，包括在所述区域在所述处理液到达所述基片的位置的附近，检测位于所述基片旋转的方向的区域的温度分布的步骤。

10.如权利要求6所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：

在检测到所述边界部之后，对所述基片供给处理液的期间，基于所述边界部的位置来调节所述处理液到达所述基片的位置的步骤。

11.一种计算机可读取的存储介质，其特征在于：

记录有用于使装置执行权利要求6所述的基片处理方法的程序。