[发明专利]无空隙间隙填充的电化学沉积方法有效
申请号: | 201780076545.2 | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN110073485B | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 塞尔达·阿克苏;李政古;鲍尔特·萨克里;罗伊·夏维夫 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 空隙 间隙 填充 电化学 沉积 方法 | ||
1. 一种在具有至少一个次30纳米特征结构的工件上电镀的方法,所述方法包括:
(a)施加第一电解质化学品至所述工件,所述第一电解质化学品包括金属阳离子溶质物质及电镀抑制剂,所述金属阳离子溶质物质具有在50 mM至250 mM的范围内的浓度;以及
(b)施加电气波形,其中所述电气波形包括电流缓升的期间,紧接着稳态电流的开始维持期间,紧接着电流部分缓降的期间,其中所述部分缓降的期间为在50毫秒至5000毫秒的范围内的时间段。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述金属阳离子为铜。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述电流缓升和所述电流部分缓降中的一个或两者选自由线性连续性缓升或缓降、非线性连续性缓升或缓降、或脉冲式缓升或缓降所组成的组。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述电流缓升的期间位于50毫秒至200毫秒的范围内。
5.如权利要求1所述的方法,其中所述电流缓升的期间立即开始或在初始延迟后开始。
6.如权利要求1所述的方法,其中所述电流缓升到达一电流电平,所述电流电平选自由1安培至15安培的范围和7安培至15安培的范围所组成的组。
7.如权利要求1所述的方法,其中所述缓降是从缓升所达到的电流电平至位于2安培至8安培的范围内的电流电平。
8.如权利要求1所述的方法,其中所述电气波形包括电流缓升的期间,紧接着电流部分缓降的期间。
9.如权利要求1所述的方法,其中所述开始维持期间为在0至200毫秒的范围内的时间段。
10.如权利要求1所述的方法,所述方法进一步包括稳态电流的缓降维持期间,所述稳态电流的缓降维持期间紧接在所述电流部分缓降的期间之后,且所述稳态电流的缓降维持期间位于所述部分缓降完成的电流电平。
11.如权利要求10所述的方法,其中所述稳态电流的缓降维持期间选自0秒至1.0秒的范围。
12.如权利要求10所述的方法,其中所述稳态电流的缓降维持期间维持在位于2安培至8安培的范围内的电流电平。
13.如权利要求10所述的方法,所述方法进一步包括稳态电流的第一期间,所述稳态电流的第一期间在所述稳态电流的维持期间之后,用以填充所述工件上的一个或多个特征结构。
14.如权利要求13所述的方法,其中所述稳态电流的第一期间位于10秒至240秒的范围内。
15.如权利要求13所述的方法,其中所述稳态电流的第一期间维持在位于2安培至8安培的范围内的电流电平。
16.如权利要求13所述的方法,所述方法进一步包括稳态电流的第二期间,所述稳态电流的第二期间在所述稳态电流的第一期间之后,用以填充所述工件上的一个或多个特征结构。
17.如权利要求16所述的方法,其中所述稳态电流的第二期间位于0秒至240秒的范围内。
18.如权利要求16所述的方法,其中所述稳态电流的第二期间维持在位于4安培至8安培的范围内的电流电平。
19.如权利要求16所述的方法,其中所述稳态电流的第二期间的电流电平高于所述稳态电流的第一期间的电流电平。
20.如权利要求13所述的方法,所述方法进一步包括用于所述工件的覆盖步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造