[发明专利]晶锭生长控制装置及其控制方法在审
申请号: | 201780076064.1 | 申请日: | 2017-05-30 |
公开(公告)号: | CN110050090A | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 朴玹雨;金世勋 | 申请(专利权)人: | 爱思开矽得荣株式会社 |
主分类号: | C30B15/20 | 分类号: | C30B15/20;C30B15/10;H01L21/02;C30B29/06 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 徐川;姚开丽 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶锭 生长控制 直径数据 控制加热器 温度控制器 直径控制器 生长过程 输入单元 直径测量 提拉 过滤 | ||
1.一种晶锭生长控制装置,用于将容纳在熔炉中的原料加热到熔融态并且将晶锭从容纳在所述熔炉中的熔体生长到目标直径,所述晶锭生长控制装置包括:
输入单元,用于输入在所述熔炉中生长的晶锭的直径数据;
直径控制器,用于在考虑到先前输入的目标提拉速度(T_P/S)的情况下控制所述晶锭的提拉速度(P/S),以减小由所述输入单元提供的直径数据与先前输入的目标直径(T_Dia)之间的误差;以及
温度控制器,用于在考虑到先前输入的目标温度(T_temp)的情况下控制加热器功率,以减小由所述输入单元提供的所述直径数据与所述先前输入的目标直径(T_Dia)之间的所述误差。
2.权利要求1所述的晶锭生长控制装置,其中,所述输入单元包括:直径测量传感器,所述直径测量传感器用于测量晶锭在容纳在所述熔炉中的熔体的交界面处的直径;以及传感器滤波器,所述传感器滤波器用于将由所述直径测量传感器测量的直径测量值处理成直径数据。
3.权利要求2所述的晶锭生长控制装置,其中,所述传感器滤波器是多项式滤波器,所述多项式滤波器用于通过使用多项式方程来计算所述直径测量值并根据所述多项式方程来计算直径数据。
4.权利要求2所述的晶锭生长控制装置,其中,所述传感器滤波器是预测滤波器,所述预测滤波器计算单晶锭的预测直径值并根据相关方程来计算直径数据,反映单晶生长环境的噪声通过使用所述相关方程被从单晶锭的预测直径值中去除。
5.权利要求1所述的晶锭生长控制装置,其中,所述直径控制器包括:提拉速度计算部分,所述提拉速度计算部分用于通过包括延迟时间与反应时间的函数的提拉速度PID(比例,积分,微分)方程来计算晶锭的提拉速度(P/S);以及
提拉速度输出部分,所述提拉速度输出部分用于输出由所述提拉速度计算部分计算的所述晶锭的所述提拉速度(P/S)。
6.权利要求5所述的晶锭生长控制装置,其中,所述直径控制器积累并存储从所述晶锭的提拉速度由所述提拉速度输出部分输出的时间点(t0)到实际晶锭的直径开始被控制的时间点(t1)的时间,从而作为延迟时间数据,并且
积累和存储的延迟时间数据作为延迟时间被应用于所述提拉速度PID方程。
7.权利要求6所述的晶锭生长控制装置,其中,所述直径控制器积累并存储从所述实际晶锭的直径开始被控制的时间点(t1)到所述实际晶锭的直径由最终收敛直径的预定百分比控制的时间点(t2)的时间,作为反应时间数据,并且
积累和存储的反应时间数据作为反应时间被应用于所述提拉速度PID方程。
8.权利要求1所述的晶锭生长控制装置,其中,所述温度控制器包括:加热器功率计算部分,所述加热器功率计算部分用于通过包括延迟时间与反应时间的函数的加热器功率PID(比例,积分,微分)方程来计算加热器功率;以及
输出部分,所述输出部分用于输出由加热器功率计算部分计算的加热器功率。
9.权利要求8所述的晶锭生长控制装置,其中,所述温度控制器积累并存储从所述加热器功率输出部分输出加热器功率的时间点(t0)到实际晶锭的直径开始被控制的时间点(t1)的时间,从而作为延迟时间数据,并且
积累和存储的延迟时间数据作为延迟时间被应用于所述加热器功率PID方程。
10.权利要求9所述的晶锭生长控制装置,其中,所述温度控制器积累并存储从所述实际晶锭的直径开始被控制的时间点(t1)到所述实际晶锭的直径由最终收敛直径的预定百分比控制的时间点(t2)的时间,作为反应时间数据,并且
积累和存储的放映时间数据作为反应时间被应用于所述加热器功率PID方程。
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