[发明专利]陶瓷组合物有效
| 申请号: | 201780075484.8 | 申请日: | 2017-12-05 |
| 公开(公告)号: | CN110036089B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
| 发明(设计)人: | 柳谷高公;村松克洋;远藤笃子;盐田一成 | 申请(专利权)人: | 神岛化学工业株式会社 |
| 主分类号: | C09K11/08 | 分类号: | C09K11/08;C04B35/50;C09K11/80;G02B5/20;H01L33/50;H01L33/58 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;谢顺星 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 陶瓷 组合 | ||
1.一种陶瓷组合物,其具有由含有钇类石榴石化合物的荧光材料构成的荧光相与由镧氧化物构成的光散射相;
其中,相对于镧氧化物整体,镧氧化物含有50质量%以上的选自LaAlO3及La2O3中的至少一种;
荧光相的平均粒径与光散射相的平均粒径的比例为前者/后者=15/1~1.2/1;
荧光材料与镧氧化物的体积比为99.9/0.1~70/30;
所述镧氧化物的平均粒径为0.1~10μm。
2.根据权利要求1所述的组合物,其中,荧光材料具有石榴石结构。
3.根据权利要求1或2所述的组合物,在所述组合物的厚度为2mm、波长为530nm时的直线透过率为5%以下。
4.根据权利要求1或2所述的组合物,其中,在将不含镧氧化物时的荧光主波长设为A1、将含有镧氧化物时的荧光主波长设为A2时,荧光主波长的差A2-A1为-5nm~5nm。
5.根据权利要求3所述的组合物,其中,在将不含镧氧化物时的荧光主波长设为A1、将含有镧氧化物时的荧光主波长设为A2时,荧光主波长的差A2-A1为-5nm~5nm。
6.根据权利要求1、2或5所述的组合物,其中,在将不含镧氧化物时的内量子效率设为B1、将含有镧氧化物时的内量子效率设为B2时,内量子效率的比B2/B1为0.93以上。
7.根据权利要求3所述的组合物,其中,在将不含镧氧化物时的内量子效率设为B1、将含有镧氧化物时的内量子效率设为B2时,内量子效率的比B2/B1为0.93以上。
8.根据权利要求4所述的组合物,其中,在将不含镧氧化物时的内量子效率设为B1、将含有镧氧化物时的内量子效率设为B2时,内量子效率的比B2/B1为0.93以上。
9.根据权利要求1、2、5、7或8所述的组合物,在所述组合物的厚度为2mm、波长为530nm时的直线透过率为3.5%以下,
在将不含镧氧化物时的荧光主波长设为A1、将含有镧氧化物时的荧光主波长设为A2时,荧光主波长的差A2-A1为-3nm~3nm,
在将不含镧氧化物时的内量子效率设为B1、将含有镧氧化物时的内量子效率设为B2时,内量子效率的比B2/B1为0.95以上。
10.根据权利要求3所述的组合物,在所述组合物的厚度为2mm、波长为530nm时的直线透过率为3.5%以下,
在将不含镧氧化物时的荧光主波长设为A1、将含有镧氧化物时的荧光主波长设为A2时,荧光主波长的差A2-A1为-3nm~3nm,
在将不含镧氧化物时的内量子效率设为B1、将含有镧氧化物时的内量子效率设为B2时,内量子效率的比B2/B1为0.95以上。
11.根据权利要求4所述的组合物,在所述组合物的厚度为2mm、波长为530nm时的直线透过率为3.5%以下,
在将不含镧氧化物时的荧光主波长设为A1、将含有镧氧化物时的荧光主波长设为A2时,荧光主波长的差A2-A1为-3nm~3nm,
在将不含镧氧化物时的内量子效率设为B1、将含有镧氧化物时的内量子效率设为B2时,内量子效率的比B2/B1为0.95以上。
12.根据权利要求6所述的组合物,在所述组合物的厚度为2mm、波长为530nm时的直线透过率为3.5%以下,
在将不含镧氧化物时的荧光主波长设为A1、将含有镧氧化物时的荧光主波长设为A2时,荧光主波长的差A2-A1为-3nm~3nm,
在将不含镧氧化物时的内量子效率设为B1、将含有镧氧化物时的内量子效率设为B2时,内量子效率的比B2/B1为0.95以上。
13.一种发光装置,其具备发光元件与权利要求1~12中任一项所述的陶瓷组合物。
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