[发明专利]辐射温度测定装置在审
申请号: | 201780075144.5 | 申请日: | 2017-12-04 |
公开(公告)号: | CN110036265A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 佐佐木裕之;杉山大 | 申请(专利权)人: | 旭化成株式会社 |
主分类号: | G01J5/06 | 分类号: | G01J5/06;G02B5/30 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度测定装置 偏振波 反射 反射型偏振片 电磁波 辐射 红外线传感器 测定对象物 偏振电磁波 测定对象 方向垂直 精度降低 温度测定 物体辐射 检测 吸收 | ||
1.一种辐射温度测定装置,使用红外线传感器来以非接触方式测定物体的表面温度,所述辐射温度测定装置的特征在于,具备:
红外线传感器,其用于检测从所述物体辐射的电磁波;以及
偏振片,其使所述电磁波中的一个方向的偏振波反射,并且使与所述一个方向垂直的方向的偏振波透过或将该偏振波吸收,
其中,所述红外线传感器检测所述偏振片所反射的一个方向的偏振电磁波。
2.根据权利要求1所述的辐射温度测定装置,其特征在于,
所述偏振片为薄片形状,并且所述偏振片具有即使使所述偏振片旋转也不会改变反射偏振波的方向的轴。
3.根据权利要求1或2所述的辐射温度测定装置,其特征在于,
所述偏振片为以所述偏振片的反射偏振波方向为旋转轴进行旋转后的朝向。
4.根据权利要求3所述的辐射温度测定装置,其特征在于,
以使所述偏振片的垂直方向上的反射率最小的方式设定所述偏振片的反射角度。
5.根据权利要求3或4所述的辐射温度测定装置,其特征在于,
所述偏振片的偏振反射率为90%以上。
6.根据权利要求3至5中的任一项所述的辐射温度测定装置,其特征在于,
所述偏振片包括线栅偏振片。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的辐射温度测定装置,其特征在于,
所述红外线传感器的温度测定对象包含氧化硅来作为主要成分。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的辐射温度测定装置,其特征在于,
所述物体的表面为平面,
通过所述红外线传感器和偏振片检测的方向与所述平面的法线方向不同。
9.根据权利要求7或8所述的辐射温度测定装置,其特征在于,
所述红外线传感器的检测波长范围为8μm以下。
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