[发明专利]采用电耦合到金属分流器的电压轨以减少或避免电压降的增加的标准单元电路

权利要求书

1.一种标准单元电路，包括：

多个有源器件，包括以栅极间距设置的多个相应栅极；

具有线宽的第一电压轨，被设置在第一金属层中，并且对应于第一半轨道，其中所述第一电压轨被配置为接收第一电压；

具有所述线宽的第二电压轨，被设置在所述第一金属层中，并且对应于第二半轨道，其中所述第二电压轨被配置为接收第二电压；

多个金属线，以小于所述栅极间距的金属间距设置在第二金属层中，其中所述多个金属线中的一个或多个金属线电耦合到所述多个栅极中的一个或多个栅极；

第一金属分流器，被设置在第三金属层中，并且电耦合到所述第一电压轨、以及所述多个金属线中的未被电耦合到所述一个或多个栅极的一个或多个金属线；以及

第二金属分流器，被设置在所述第三金属层中，并且电耦合到所述第二电压轨、以及所述多个金属线中未被电耦合到所述一个或多个栅极的一个或多个金属线。

2.根据权利要求1所述的标准单元电路，还包括：

设置在所述第一金属层与所述第二金属层之间的一个或多个第一通孔，其中所述一个或多个第一通孔中的每个第一通孔将所述第一电压轨电耦合到一个或多个相应金属线；以及

设置在所述第一金属层与所述第二金属层之间的一个或多个第二通孔，其中所述一个或多个第二通孔中的每个第二通孔将所述第二电压轨电耦合到一个或多个相应金属线。

3.根据权利要求2所述的标准单元电路，还包括：

设置在所述第二金属层与所述第三金属层之间的一个或多个第一通孔，其中所述一个或多个第一通孔中的每个第一通孔将所述一个或多个相应金属线电耦合到所述第一金属分流器；以及

设置在所述第二金属层与所述第三金属层之间的一个或多个第二通孔，其中所述一个或多个第二通孔中的每个第二通孔将所述一个或多个相应金属线电耦合到所述第二金属分流器。

4.根据权利要求1所述的标准单元电路，其中所述金属间距约等于所述栅极间距的三分之二(2/3)。

5.根据权利要求4所述的标准单元电路，其中：

所述金属间距约等于二十八(28)纳米(nm)；以及

所述栅极间距约等于四十二(42)nm。

6.根据权利要求1所述的标准单元电路，其中所述金属间距在所述栅极间距的约二分之一(1/2)到四分之三(3/4)之间。

7.根据权利要求6所述的标准单元电路，其中：

所述金属间距在约二十(20)nm到三十(30)nm之间；以及

所述栅极间距在约四十(40)nm到四十二(42)nm之间。

8.根据权利要求1所述的标准单元电路，还包括设置在所述第一金属层中的、在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间的多个布线，其中：

每个布线具有与所述第一电压轨和所述第二电压轨基本上相同的线宽；以及

每个布线对应于多个布线轨道中的布线轨道。

9.根据权利要求8所述的标准单元电路，其中所述多个布线轨道包括四(4)个轨道。

10.根据权利要求1所述的标准单元电路，其中：

所述第二金属层设置在所述第一金属层与所述第三金属层之间；以及

所述第三金属层设置在所述第二金属层上方。

11.根据权利要求10所述的标准单元电路，其中所述第一金属层包括金属零(M0)金属层。

12.根据权利要求11所述的标准单元电路，其中所述第二金属层包括金属一(M1)金属层。

13.根据权利要求12所述的标准单元电路，其中所述第三金属层包括金属二(M2)金属层。