[发明专利]不同尺寸元件布局的混合结构方法以优化晶圆的面积使用

权利要求书

1.一种半导体晶圆器件，包括：

具有大表面面积的晶圆；

在所述晶圆上制造的多个大器件；和

在所述晶圆上制造的多个小器件；和

其中所述小器件用作所述晶圆的填充元件，因为所述多个大器件不能有效地填充所述晶圆。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆器件，其中所述晶圆为圆形。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆器件，其中所述晶圆具有低的单位面积成本。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆器件，其中所述晶圆用作带条插入器。

5.根据权利要求1所述的半导体晶圆器件，其中所述大器件包括带条或插入器器件。

6.根据权利要求5所述的半导体晶圆器件，其中所述大器件大于4mm²。

7.根据权利要求6所述的半导体晶圆器件，其中所述带条或插入器器件附接到高频标签。

8.根据权利要求7所述的半导体晶圆器件，其中所述带条或插入器器件用作从天线线圈的中心到外部的桥。

9.根据权利要求1所述的半导体晶圆器件，其中所述小器件包括芯片器件。

10.根据权利要求9所述的半导体晶圆器件，其中所述小器件小于4mm²。

11.根据权利要求10所述的半导体晶圆器件，其中所述芯片器件附接到小型RFID天线。

12.根据权利要求1所述的半导体晶圆器件，其中所述小器件和大器件在不同的时间被从所述晶圆器件弹出，因为所述小器件和大器件在不同的工艺中被使用。

13.根据权利要求12所述的半导体晶圆器件，其中所述大器件被激光切割并首先从所述晶圆器件弹出，并且所述小器件被激光切割并其次从所述晶圆器件弹出。

14.根据权利要求1所述的半导体晶圆器件，还包括3-D堆叠的器件。

15.根据权利要求14所述的半导体晶圆器件，其中所述3-D堆叠的器件的顶部器件包括数字处理器，并且所述3-D堆叠的器件的底部器件包括传感器。

16.一种半导体晶圆器件，包括：

圆形晶圆，其具有大表面面积和低单位面积成本；

在所述晶圆上制造的多个插入器器件；和

在所述晶圆上制造的多个芯片器件；和

其中所述芯片器件用作所述晶圆的填充元件，因为所述多个插入器器件不能有效地填充所述晶圆；和

其中所述芯片器件和所述插入器器件在不同时间被激光切割并从所述晶圆器件弹出。

17.根据权利要求16所述的半导体晶圆器件，其中所述插入器器件大于4mm²。

18.根据权利要求16所述的半导体晶圆器件，其中所述芯片器件小于4mm²。

19.根据权利要求16所述的半导体晶圆器件，还包括在所述晶圆上制造的3-D堆叠的器件，所述3-D堆叠的器件包括顶部器件和底部器件，其中所述顶部器件包括数字处理器，并且所述底部器件包括高密度线圈。

20.一种半导体晶圆器件，包括：

具有大表面面积的圆形晶圆；

在所述晶圆上制造的多个插入器器件和多个芯片器件；

其中所述芯片器件用作所述晶圆的填充元件，因为所述多个插入器器件不能有效地填充所述晶圆；和

在所述晶圆上制造的3-D堆叠的器件，所述3-D堆叠的器件包括顶部器件和底部器件，其中所述顶部器件包括数字处理器，并且所述底部器件包括高密度线圈。