[发明专利]SOI晶圆的制造方法

权利要求书

1.一种SOI晶圆的制造方法，包含：

贴合步骤，将由硅晶圆所构成的接合晶圆及由硅晶圆所构成的基底晶圆，通过形成在所述接合晶圆及所述基底晶圆中至少一个的表面的硅氧化膜，在室温下贴合；以及

薄膜化步骤，在所述贴合步骤后，薄膜化所述接合晶圆，而制造SOI晶圆，

其中，在所述贴合步骤前，还包含：

洗净步骤，以亲水性的洗净液洗净所述接合晶圆及所述基底晶圆，以及

干燥步骤，通过吸引干燥及旋转干燥中至少一个干燥方法，将进行过所述洗净步骤后的接合晶圆及基底晶圆予以干燥，

其中，在所述干燥步骤结束后至开始所述贴合步骤为止期间，以50分钟以上5小时以下的时间保管所述接合晶圆及所述基底晶圆，直至进行所述贴合步骤时的贴合速度变为20mm/秒以下为止，以及

所述贴合速度为20mm/秒以下而进行所述贴合。

2.根据权利要求1所述的SOI晶圆的制造方法，其中，所述保管的时间订为70分钟以上。

3.根据权利要求1所述的SOI晶圆的制造方法，其中，在进行所述洗净步骤前，包含步骤：对所述接合晶圆及所述基底晶圆中至少一个进行电浆处理。

4.根据权利要求2所述的SOI晶圆的制造方法，其中，在进行所述洗净步骤前，包含步骤：对所述接合晶圆及所述基底晶圆中至少一个进行电浆处理。

5.根据权利要求1所述的SOI晶圆的制造方法，其中，以SC1溶液或SC2溶液作为所述亲水性的洗净液。

6.根据权利要求2所述的SOI晶圆的制造方法，其中，以SC1溶液或SC2溶液作为所述亲水性的洗净液。

7.根据权利要求3所述的SOI晶圆的制造方法，其中，以SC1溶液或SC2溶液作为所述亲水性的洗净液。

8.根据权利要求4所述的SOI晶圆的制造方法，其中，以SC1溶液或SC2溶液作为所述亲水性的洗净液。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的SOI晶圆的制造方法，其中，在所述保管中，以所述接合晶圆及所述基底晶圆接触于温度25±5℃、湿度40±20％的氛围的方式而保管。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的SOI晶圆的制造方法，其中，在所述贴合步骤后至进行最初的热处理为止期间，将所述接合晶圆及所述基底晶圆在贴合后的状态下放置24小时以上。

11.根据权利要求9所述的SOI晶圆的制造方法，其中，在所述贴合步骤后至进行最初的热处理为止期间，将所述接合晶圆及所述基底晶圆在贴合后的状态下放置24小时以上。