[发明专利]摄像元件、其制造方法、金属薄膜滤光片和电子设备在审
申请号: | 201780073250.X | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN110024129A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 杉崎太郎 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 滤光片 摄像元件 透射波长 光电转换层 贯通孔 透射 入射 像素 电子设备 金属薄膜 电荷 光产生 接收光 响应 制造 | ||
根据一些方面,本发明提供一种摄像元件,该摄像元件包括光电转换层,所述光电转换层被构造成接收光并响应于所接收的光产生电荷,还包括:第一滤光片区,其与摄像元件的第一像素对应,第一滤光片区具有第一厚度和在其中形成的多个贯通孔,其中,第一滤光片区以第一峰值透射波长透射入射到第一滤光片区上的光;以及第二滤光片区,其与摄像元件的第二像素对应,第二滤光片区具有大于第一厚度的第二厚度和在其中形成的多个贯通孔,其中,第二滤光片区以第二峰值透射波长透射入射到第二滤光片区上的光,第二峰值透射波长大于第一峰值透射波长。
技术领域
根据本发明的实施例的技术(下文中,也称为本技术)涉及摄像元件、摄像元件的制造方法、金属薄膜滤光片和电子设备,特别地,涉及适用于检测窄波长带中的光的摄像元件、摄像元件的制造方法、金属薄膜滤光片和电子设备。
背景技术
在相关技术中,提出了一种摄像元件,该摄像元件通过使用等离子体滤光片来检测预定窄波长带(窄带)中的光(下文中,也称为窄带光)(例如,参考专利文献1)。
引用列表
专利文献
专利文献1
JP 2010-165718A
发明内容
技术问题
然而,在具有孔阵列结构的等离子体滤光片中,当在金属薄膜上形成的孔之间的间距(下文中,称为孔间距)变窄时,将被透射的光的波长带(透射带)向短波长侧移动,并且当孔间距变宽时,透射带向长波长侧移动。
另一方面,在孔间距变窄到一定程度的某个区域中,并且透射带是短波长时,等离子体滤光片的灵敏度降低。另外,当孔间距变宽并且透射带是长波长时,等离子体滤光片的光谱特性的峰值波长附近的宽度(下文中,称为峰值宽度)和半宽变宽。因此,担心窄带光的检测精度会降低。
本技术是在已经考虑到上述这种情况而做出的,并且本技术能够提高窄带光的检测精度。
解决问题的方案
根据本发明,提供一种摄像元件,该摄像元件包括:滤光片层,其被构造成根据光的波长选择性地过滤入射光;以及光电转换层,其被构造成接收由滤光片层过滤的光,并响应于所接收的光产生电荷,其中,滤光片层包括:第一滤光片区,其对应于摄像元件的第一像素,第一滤光片区具有第一厚度和在其中形成的多个贯通孔,其中,第一滤光片区以第一峰值透射波长透射入射在第一滤光片区上的光;以及第二滤光片区,其对应于摄像元件的第二像素,第二滤光片区具有大于第一厚度的第二厚度和在其中形成的多个贯通孔,其中,第二滤光片区以第二峰值透射波长透射入射在第二滤光片区上的光,第二峰值透射波长大于第一峰值透射波长。
此外,根据本发明,提供一种摄像元件,该摄像元件包括:滤光片层,其被构造成根据光的波长选择性地过滤入射光;以及光电转换层,其被构造成接收由滤光片层过滤的光,并响应于所接收的光产生电荷,其中,滤光片层包括:第一滤光片区,其对应于摄像元件的第一像素,第一滤光片区具有第一厚度和在其中形成的点阵列,其中,第一滤光片区以第一峰值吸收波长透射入射在第一滤光片区上的光;第二滤光片区,其对应于摄像元件的第二像素,第二滤光片区具有大于第一厚度的第二厚度和在其中形成的点阵列,其中,第二滤光片区以第二峰值吸收波长透射入射在第二滤光片区上的光,第二峰值吸收波长大于第一峰值吸收波长。
本发明的有利效果
根据本技术的第一方面、第四方面或第五方面,可以提高窄波长带中的光的检测精度。
根据本技术的第二方面或第三方面,可以形成金属薄膜滤光片,该金属薄膜滤光片的导体薄膜的膜厚度根据像素而不同。因此,可以提高窄波长带中的光的检测精度。
此外,上述效果并非限制性的,并且可以是本发明中说明的任何效果。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的