[发明专利]银纳米线的制造方法、银纳米线、分散液及透明导电膜

说明书

提供不用缩小线径即可使电浆子吸收带的极大吸光向短波长侧偏移的银纳米线的制造方法。银纳米线的制造方法包括借由将银纳米线的分散液与不同于银的过渡金属的金属离子的混合液加热，使金属离子还原，而在银纳米线表面以分散状析出过渡金属的聚集体的工序。以该方式制得的银纳米线在长度方向以分散状具有金属聚集体，可使电浆子吸收带的极大吸光向短波长侧偏移。

技术领域

本发明关于在长度方向以分散状具有金属聚集体的银纳米线的制造方法等。

背景技术

透明导电膜为兼具可见光穿透性与电导性的薄膜，已广泛用作液晶显示器、电致发光显示器、触控面板、太阳能电池等的透明电极。其中，因氧化铟锡(ITO)的溅镀膜具有高度透明性与导电性，而广泛用在智能电话等4吋左右的小型用途、或平板计算机终端等7至10吋左右的中型用途的电容式触控面板的薄膜传感器。

近年来，在笔记型个人计算机(Note PC)或一体成型个人计算机(All-in-One PC)等14至23吋的大型制品或电子黑板等大型触控面板中所使用的透明导电膜特性上虽要求为低电阻性，但为了使ITO薄膜低电阻化，则必须将导电层的ITO加厚。若直接将ITO薄膜加厚，则薄膜的透明性会降低，图案成形后的透视度风险也会变高等，对显示器的可辨识性会造成影响。

作为这种ITO薄膜的替代品，一种可使用液相法制造又兼具低电阻性及透明性，且含有具柔软性的金属纳米线的透明导电膜正在探究中。其中，使用银纳米线的透明导电膜因具有高导电性及稳定性而特别受到瞩目。ITO虽是陶瓷的一种，非常脆，但银的延展性在金属中却相当优异，而且，若成为纳米线形状时，其耐弯曲性更为提升。

银纳米线的制造方法中，在聚乙烯吡咯烷酮(PVP：Polyvinylpyrrolidone)的存在下，借由多元醇的乙二醇将硝酸银还原的多元醇法已为众所公知(参照例如专利文献1等)。以多元醇法制成银纳米线时，因采取使(100)的5个面邻接于银的结晶面成长方向[100]，且使(111)的10个面覆盖其上而形成5次旋转多重双晶构造，故银纳米线的剖面为呈五角形。若该角为锐角时，电子会局部集在该角，使电浆子吸收增加，而有黄色残留等使透明性恶化的问题。非专利文献1中即记载了关于线径及上述光学特性改善的记述。在该非专利文献1中，提案有借由将线径更缩小为40、30、20nm，而使可见光领域的银纳米线特有的电浆子吸收顶峰向375、370、365nm进行短波长蓝偏移，以提升可见光领域的透明性的方法。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特许第5936759号

[非专利文献]

[非专利文献1]Eun-Jong Lee、Yong-Hoe Kim、Do Kyung Hwang、Won Kook Choib、Jin-Yeol Kim，“Synthesis and optoelectronic characteristics of 20nm diametersilver nanowires for highly transparent electrode films”，RSC Adv.6巻，11702-11710页，2016年

发明内容

[发明所欲解决的课题]

如上述非专利文献1所记载，通过将银纳米线的线径缩小，可将电浆子吸收带的极大吸光向短波长侧偏移。然而，因线径缩得越细，热的稳定性越降低，将银纳米线涂布于薄膜时，会因在干燥过程中断线，而有无法获得预设的导电性的问题。

本发明为解决上述课题而进行研创，其目的在提供不用将银纳米线的线径缩小即可使电浆子吸收带的极大吸光向短波长偏移的银纳米线的制造方法等。

[解决课题的技术方案]