[发明专利]光纤线路和光纤线路制造方法

说明书

本实施例涉及光纤线路等，该光纤线路通过将具有含氟包层的单模光纤与大A_eff光纤进行TEC连接而构造。这两种光纤之间的连接状态设定成使得在基模中以dB表示的连接损耗等于或小于在1550nm波长处以dB表示的理想对接损耗的55％。

技术领域

本发明涉及光纤线路和光纤线路制造方法。

背景技术

如非专利文献1至3中所述，在超长距离大容量传输中，尤其是在例如海底光缆系统中，为了使系统中的光信噪比最大化，使用了具有低传输损耗和大有效面积(A_eff)的光纤(低损耗大A_eff光纤)。目前，在海底光缆系统中采用了在1.55μm波长处A_eff为130μm²至150μm²的大A_eff光纤。然而，在系统的中继器中，通常使用符合ITU-T G.652或G.654C的单模光纤作为馈通部(feedthrough)。

由大A_eff光纤与单模光纤之间的熔接引起的典型连接损耗在1550nm波长处为每个连接0.3dB。如非专利文献4中所述，具有超过500Pb/s×km的容量距离乘积的传输系统中的典型跨度损耗(span loss)为10dB。与该跨度损耗相比，上述连接损耗太高而不能忽略。由于这个原因，期望降低大A_eff光纤与单模光纤之间的连接损耗。

大A_eff光纤与单模光纤之间的连接损耗的产生原因之一是，大A_eff光纤与单模光纤之间的模场直径(MFD)的差异阻止了在跨越两根光纤延伸的过渡区段(MFD沿纵向变化的区段)中全部光功率均耦合到基模。在非专利文献1中描述了：相对于相同的A_eff，具有双芯(环型芯)结构(其中位于第一芯部外侧的第二芯部具有较高的折射率)的大A_eff光纤与具有芯部(阶梯型芯)结构(其具有常规阶梯型折射率分布)的大A_eff光纤相比可以使MFD较小。因此，使用具有环型芯的光纤而不是使用具有阶梯型芯的光纤作为大A_eff光纤，使得可以减小MFD失配(使得可以降低连接损耗)。然而，在1.55μm波长处A_eff为83μm²的单模光纤与在1.55μm波长处A_eff为148μm²的具有环型芯的大A_eff光纤之间的理论上计算的连接损耗仍然保持处于0.22dB的高值。

用于进一步降低MFD彼此不同的两根光纤的端部之间的连接损耗的方法的实例包括：用于夹置和连接具有中间A_eff的光纤的桥连接，用于使连接点物理地逐渐变细的锥形连接，以及用于加热连接点以扩大芯部的芯部扩散连接(热扩张芯部(TEC)连接)。

在专利文献1中，公开了一种使用超短桥(ultra-short bridge)光纤的桥连接的方法。桥连接造成连接点的数量增加，这可能使系统复杂化。此外，在非专利文献3中，描述了一种使用锥形连接的损耗降低方法。请注意，锥形连接造成连接点逐渐变细，这可能导致机械强度降低。

TEC连接没有由桥连接或锥形连接引起的风险，并且是用于海底光缆系统等的最实用的连接方法。在非专利文献5中描述了TEC连接。在连接点周围形成锥形MFD(MFD沿纵向连续增大或减小的状态)减小或消除了连接点处的MFD失配。锥形MFD通常通过加热使掺杂到光纤芯部中的掺杂剂扩散从而扩大MFD来实现。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本未审查专利公开No.2004-191998

专利文献2：日本未审查专利公开No.2007-535002

专利文献3：日本未审查专利公开No.H9-15441