[发明专利]金属氧化物异质接合结构、其制造方法及含其的薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201780071720.9 | 申请日： | 2017-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN110268528A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 徐亨卓;李相渊;朴娥怜 | 申请（专利权）人： | 亚洲大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/51;H01L29/43;H01L21/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 延美花;臧建明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属氧化物 接合结构 氧化铟层 异质 氧化铝层 薄膜晶体管 移动通道 电荷 界面层 铝离子 氧离子 铟离子 制造 | ||
1.一种金属氧化物异质接合结构，其包括氧化铟层及与所述氧化铟层接触的氧化铝层，其特征在于，
所述氧化铟层与所述氧化铝层之间形成有含铟离子、铝离子及氧离子且提供电荷的移动通道的界面层。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物异质接合结构，其特征在于，
所述氧化铟层具有8nm以上15nm以下的厚度，
所述氧化铝层具有10nm以上的厚度，
所述界面层具有半导体特性。
3.根据权利要求2所述的金属氧化物异质接合结构，其特征在于，
所述氧化铟层包括至少一部分纳米结晶化的区域。
4.根据权利要求1所述的金属氧化物异质接合结构，其特征在于，
所述氧化铟层具有100nm以上的厚度，
所述氧化铝层具有10nm以上的厚度，
所述界面层具有电子导电体的特性。
5.根据权利要求4所述的金属氧化物异质接合结构，其特征在于，
所述氧化铟层的90％以上的区域为结晶化的状态。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的金属氧化物异质接合结构，其特征在于：
所述界面层具有3nm以上5nm以下的厚度。
7.一种金属氧化物异质接合结构的制造方法，包括：
通过在常温(Room Temperature)执行的溅射方法在基材上形成氧化铟层的步骤；以及
通过在150℃至250℃执行的真空沉积法在所述氧化铟层上形成氧化铝层的步骤。
8.一种薄膜晶体管，其受施加于栅电极的栅极电压的控制而通过半导体通道层将源电极的信号发送到漏电极，其特征在于，
所述半导体通道层包括具有氧化铟层及与所述氧化铟层接触的氧化铝层的金属氧化物异质接合结构，
所述氧化铟层与所述氧化铝层之间形成有含铟离子、铝离子及氧离子且提供所述信号的移动通道的界面层。
9.根据权利要求8所述的金属氧化物异质接合结构，其特征在于，
所述氧化铟层具有8nm以上15nm以下的厚度，所述氧化铝层具有10nm以上的厚度。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述源电极及所述漏电极配置成与所述界面层接触且彼此相隔。
11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述栅电极位于所述氧化铝层的上部，
所述氧化铝层将所述界面层与所述栅电极绝缘。
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