[发明专利]表面声波元件封装及其制造方法在审
申请号: | 201780071002.1 | 申请日: | 2017-11-15 |
公开(公告)号: | CN109964406A | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 河宗秀;金知澔 | 申请(专利权)人: | 天津威盛电子有限公司 |
主分类号: | H03H3/08 | 分类号: | H03H3/08;H03H9/10;H03H9/125;H03H9/25 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面声波元件 封装 电极 纳米银膏 压电基板 基板 固化 基板设置 电连接 制造 | ||
1.一种表面声波SAW器件封装,其包括:
SAW器件,所述SAW器件包括压电基板并且包括形成在所述压电基板上的交叉指型换能器IDT电极和多个电极;
封装基板,所述封装基板包括分别对应于所述多个电极的多个端子,并且所述SAW器件安装在所述封装基板上;以及
固化的纳米银膏,其将所述多个电极与所述多个端子分别电连接。
2.根据权利要求1所述的SAW器件封装,其中在所述封装基板上形成有分隔件,所述分隔件围绕每个所述端子并围绕所述纳米银膏。
3.根据权利要求2所述的SAW器件封装,其中所述分隔件由绝缘材料形成。
4.根据权利要求2所述的SAW器件封装,所述SAW器件封装还包括覆盖所述SAW器件的模制部分,
其中所述分隔件围绕所述多个端子中的每个端子和所述纳米银膏,同时围绕其中设置有所述IDT电极的空间,以便防止形成所述模制部分的模制材料穿过其中设置有所述IDT电极的所述空间。
5.根据权利要求1所述的SAW器件封装,其中所述封装基板是有机基板。
6.一种制造SAW器件封装的方法,所述方法包括以下步骤:
制备SAW器件封装,所述SAW器件封装包括压电基板并且包括形成在所述压电基板上的IDT电极和多个电极;
制备封装基板,所述封装基板包括分别对应于所述多个电极的多个端子;
将纳米银膏施加到所述封装基板的所述多个端子中的每个端子;
将所述SAW器件放置在所述封装基板上,使得所述多个电极与所述纳米银膏相接触;以及
通过向其施加热来固化所述纳米银膏。
7.根据权利要求6所述的方法,所述方法还包括在所述封装基板上形成分隔件,所述分隔件围绕所述多个端子中的每个端子,
其中所述纳米银膏的施加包括施加所述纳米银膏使得所述纳米银膏被所述分隔件围绕。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述分隔件由绝缘材料形成。
9.根据权利要求7所述的方法,所述方法还包括形成覆盖所述SAW器件的模制部分,
其中所述分隔件的形成包括将所述分隔件形成为围绕所述多个端子中的每个端子,同时围绕其中设置有所述IDT电极的空间,以便防止形成所述模制部分的模制材料穿过其中设置有所述IDT电极的所述空间。
10.根据权利要求6所述的方法,其中所述封装基板是有机基板。
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