[发明专利]用于磁共振成像(MRI)系统的前部射频(RF)线圈阵列有效
申请号: | 201780070709.0 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN109963507B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 纳比勒·马利克;迈克尔·克拉克;科尔曼·尤哈斯;爱德温·艾根布罗特;罗伯特·斯托蒙特;斯科特·琳赛 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | A61B5/055 | 分类号: | A61B5/055;G01R33/28 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;钱慰民 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 磁共振 成像 mri 系统 前部 射频 rf 线圈 阵列 | ||
1.一种用于磁共振成像MRI系统的射频RF线圈阵列,包括:
多个RF线圈,每个RF线圈包括集成电容器线圈环,每个集成电容器线圈环包括由介电材料封装并隔开的两个平行线导体,所述两个平行线导体中的每个包括绞线导体;
多个耦合电子器件单元,每个耦合电子器件单元耦合到相应线圈环;和
多个线圈接口电缆,所述多个线圈接口电缆将每个耦合电子器件单元耦合到接口连接器,所述接口连接器被配置为耦合到所述MR成像系统的电缆。
2.根据权利要求1所述的RF线圈阵列,还包括材料片,所述多个RF线圈、所述多个耦合电子器件单元、所述多个线圈接口电缆附接到所述材料片。
3.根据权利要求2所述的RF线圈阵列,其中所述多个RF线圈、所述多个耦合电子器件单元、所述多个线圈接口电缆以及所述附接的材料片被装入基于聚氨酯的封装件中。
4.根据权利要求1所述的RF线圈阵列,其中每个耦合电子器件单元包括前置放大器和阻抗匹配网络,所述阻抗匹配网络被配置为产生高阻塞阻抗。
5.根据权利要求4所述的RF线圈阵列,其中每个耦合电子器件单元还包括去耦电路。
6.根据权利要求4所述的RF线圈阵列,其中所述前置放大器包括用于高源阻抗优化的低输入阻抗前置放大器,并且其中所述阻抗匹配网络提供所述高源阻抗。
7.根据权利要求1所述的RF线圈阵列,其中每个线圈环的电容是所述相应两个平行线导体之间的间距、所述两个平行线导体上的切口的位置和/或数量以及所述介电材料的函数。
8.根据权利要求1所述的RF线圈阵列,其中每个线圈环沿着其终端端部之间的所述线圈环的整个长度没有任何电容和电感集总部件。
9.根据权利要求1所述的RF线圈阵列,其中所述多个RF线圈包括被布置成第一行的第一RF线圈、第二RF线圈、第三RF线圈、第四RF线圈和第五RF线圈,且另外还有五行RF线圈,总共有六行五个RF线圈。
10.根据权利要求9所述的RF线圈阵列,其中与每个RF线圈的每个耦合电子器件单元耦合的每个线圈接口电缆形成电缆组件,所述电缆组件沿着所述RF线圈阵列的中心轴线延伸到所述接口连接器。
11.根据权利要求10所述的RF线圈阵列,还包括定位在所述电缆组件周围的至少一个平衡-不平衡变换器。
12.一种用于磁共振成像MRI系统的射频RF线圈阵列,包括:
被布置成多个行的多个RF线圈,每行RF线圈具有相等数量的RF线圈,每个RF线圈包括集成电容器线圈环,每个集成电容器线圈环包括由介电材料封装并隔开的两个平行线导体,所述两个平行线导体中的每个包括绞线导体;
多个耦合电子器件单元,每个耦合电子器件单元耦合到相应线圈环;
多个线圈接口电缆,所述多个线圈接口电缆将每个耦合电子器件单元耦合到接口连接器,所述接口连接器被配置为耦合到所述MR成像系统的电缆,来自所述多个RF线圈的所述线圈接口电缆形成电缆组件;以及
沿着所述电缆组件定位的至少一个平衡-不平衡变换器。
13.根据权利要求12所述的RF线圈阵列,其中每个耦合电子器件单元朝向所述RF线圈阵列的中心轴线取向,并且其中所述电缆组件沿着所述中心轴线延伸。
14.根据权利要求13所述的RF线圈阵列,其中所述多个RF线圈包括六行RF线圈,每行包括五个RF线圈。
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