[发明专利]在漏极指尖与源极之间具有导电势垒的HEMT

权利要求书

1.一种形成高电子迁移率晶体管HEMT的方法，其包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成IIIA-N族有源层；

在所述有源层上形成IIIA-N族势垒层；

穿过所述势垒层形成至少一个隔离区域，以提供在所述有源层上包括所述势垒层的至少一个经隔离有源区；

在所述势垒层上方形成栅极；

形成漏极，所述漏极包括至少一个漏极指状件，所述至少一个漏极指状件包含漏极触点指尖，所述漏极触点指尖具有延伸到所述势垒层中以提供与所述有源层的接触的漏极触点，及

形成源极，所述源极具有延伸到所述势垒层中以提供与所述有源层的接触的源极触点，其中所述源极形成包围所述漏极的环圈，

其中所述隔离区域包含定位于所述源极与所述漏极触点之间的一部分，以使得在所述漏极指状件的长度方向上位于所述漏极触点指尖的所述漏极触点与所述源极之间有导电势垒。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述漏极触点指尖为弯曲区域，并且其中所述导电势垒在从所述源极到所述漏极触点指尖的路径中穿过至少150度弧阻挡导电。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述隔离区域包括蚀刻穿过所述势垒层的台面蚀刻工艺。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述形成所述隔离区域包括使用灰度掩模进行图案化，使得所述台面蚀刻工艺为所述经隔离有源区的边缘提供修圆边缘。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述隔离区域包括经掩蔽离子植入工艺。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在形成所述IIIA-N族有源层之前在所述衬底上形成至少一个缓冲层，其中所述衬底包括硅，其中所述IIIA-N族有源层包括未经掺杂GaN，并且其中所述势垒层包括AlGaN。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述漏极触点延伸超过所述源极触点以进一步抑制电流拥挤效应。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述HEMT为形成于所述衬底中且形成于所述衬底上的集成电路IC的一部分。

9.一种高电子迁移率晶体管HEMT，其包括：

衬底；

有源层，其在所述衬底上；

IIIA-N族势垒层，其在所述有源层上方；

至少一个隔离区域，其穿过所述势垒层以提供在所述有源层上包括所述势垒层的至少一个经隔离有源区；

栅极，其在所述势垒层上方；

漏极，其包括至少一个漏极指状件，所述至少一个漏极指状件包含漏极触点指尖，所述漏极触点指尖具有延伸到所述势垒层中以提供与所述有源层的接触的漏极触点，及

源极，其包含延伸到所述势垒层中以提供与所述有源层的接触的源极触点，其中所述源极形成包围所述漏极的环圈；

其中所述隔离区域包含定位于所述源极与所述漏极触点之间的一部分，以使得在所述漏极指状件的长度方向上位于所述漏极触点指尖的所述漏极触点与所述源极之间有导电势垒。

10.根据权利要求9所述的HEMT，其中所述衬底包括蓝宝石、硅或碳化硅SiC。

11.根据权利要求9所述的HEMT，其中所述有源区包括台面。

12.根据权利要求9所述的HEMT，其中所述漏极触点延伸超过所述源极触点。

13.根据权利要求9所述的HEMT，其中所述隔离区域的所述有源区包括经掺杂区域。

14.根据权利要求9所述的HEMT，其中所述HEMT为形成于所述衬底中且形成于所述衬底上的集成电路IC的一部分。