[发明专利]太阳能电池及其制造方法以及太阳能电池模块在审
申请号: | 201780069963.9 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN110073500A | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 吉河训太 | 申请(专利权)人: | 株式会社钟化 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0747;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 朝鲁门;孙明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主面 晶体硅基板 侧面 太阳能电池 长边 薄膜 环绕 太阳能电池模块 氧化膜 制造 | ||
1.一种太阳能电池,具有长方形的晶体硅基板,
所述晶体硅基板具有长方形的第一主面、位于与所述第一主面相反的一侧的长方形的第二主面、将所述第一主面的长边和所述第二主面的长边连接的第一侧面、位于与所述第一侧面相反的一侧且将所述第一主面的长边和所述第二主面的长边连接的第二侧面,
第一主面和第二主面中的至少一个由薄膜被覆,
被覆第一主面的薄膜和被覆第二主面的薄膜中的至少一个环绕形成于所述第一侧面,从而使所述第一侧面被薄膜所覆盖,
被覆第一主面的薄膜和被覆第二主面的薄膜均不覆盖所述第二侧面,
所述第二侧面的表面上,在所述晶体硅基板的厚度方向的整体上设置有硅的非自然氧化膜。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述第二侧面的设置于靠近第一主面的一侧的非自然氧化膜与设置于靠近第二主面的一侧的非自然氧化膜的厚度不同。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池,其中,覆盖所述第一侧面的薄膜为硅系薄膜。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其中,与所述晶体硅基板的所述第一侧面相接地设置有硅系薄膜,
所述硅系薄膜为本征非晶硅薄膜。
5.根据权利要求1或2所述的太阳能电池,其中,覆盖所述第一侧面的薄膜为绝缘性材料薄膜。
6.一种太阳能电池的制造方法,是制造权利要求1~5中任一项所述的太阳能电池的方法,具有:
将薄膜成膜于正方形的晶体硅基板的第一主面和第二主面中的至少一个的工序;以及
将设置有所述薄膜的正方形的晶体硅基板分割成2个长方形的晶体硅基板的工序,
其中,分割后的晶体硅基板具有长方形的第一主面、位于与所述第一主面相反的一侧的长方形的第二主面、将所述第一主面的长边和所述第二主面的长边连接的第一侧面,位于与所述第一侧面相反的一侧且将所述第一主面的长边和所述第二主面的长边连接的第二侧面,
在所述薄膜的成膜时,所述薄膜不仅成膜于正方形的晶体硅基板的主面,而且还环绕晶体硅基板的侧面成膜,由此使分割后的晶体硅基板的所述第一侧面被所述薄膜所覆盖,所述第二侧面不被薄膜覆盖,
通过将露出于所述第二侧面的晶体硅暴露于氧化性气氛下而在所述第二侧面设置氧化膜。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制造方法,其中,通过将露出于所述第二侧面的晶体硅在氧化性气氛下加热,从而在所述第二侧面设置氧化膜。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制造方法,其中,所述氧化性气氛下的加热温度为100~200℃。
9.根据权利要求6~8中任一项所述的太阳能电池的制造方法,其中,将正方形的晶体硅基板分割成2个长方形的晶体硅基板的工序具有如下工序:
通过沿着所述正方形的晶体硅基板的中央线照射激光而形成分割槽的工序;和
沿着所述分割槽折断晶体硅基板的工序。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制造方法,其中,通过所述激光照射而在所述第二侧面的所述分割槽的形成区域形成硅的氧化膜。
11.根据权利要求7~10中任一项所述的太阳能电池的制造方法,其中,通过将露出于因所述折断所形成的割断面的晶体硅的露出面暴露于氧化性气氛下而设置氧化膜。
12.一种太阳能电池模块,具有:
由配线材料连接多个权利要求1~5中任一项所述的太阳能电池而得的太阳能电池串,
密封所述太阳能电池串的密封材料,和
设置于所述密封材料的受光面侧的受光面保护材料和设置于所述密封材料的背面侧的背面保护材料。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池模块,其中,以与长方形的所述太阳能电池的长方形的短边平行地延伸的方式,配置所述配线材料,
所述太阳能电池串中,多个长方形的所述太阳能电池以沿着长方形的短边方向排列的方式介由所述配线材料进行连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的