[发明专利]激光照射装置及薄膜晶体管的制造方法在审
申请号: | 201780069323.8 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN109952630A | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 水村通伸;新井敏成;畑中诚;竹下琢郎 | 申请(专利权)人: | V科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华;洪秀川 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 投影透镜 投影掩模 掩模 激光照射装置 激光 玻璃基板 透射率 图案 非晶硅薄膜 方向移动 激光透过 区域照射 粘附 光源 照射 制造 | ||
1.一种激光照射装置,其特征在于,具备:
光源,其产生激光;
投影透镜,其向分别粘附于玻璃基板上的多个薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光;及
投影掩模图案,其设置在所述投影透镜上,包含设定有所述激光透过的比例即透射率的多个掩模,
所述投影透镜对于沿规定的方向移动的所述玻璃基板上的所述多个薄膜晶体管,分别经由所述投影掩模图案所包含的所述多个掩模来照射所述激光,
所述投影掩模图案包含的所述多个掩模分别设定有多个所述透射率中的任一个。
2.根据权利要求1所述的激光照射装置,其特征在于,
在所述投影掩模图案中,设定有不同的所述透射率的所述掩模随机配置。
3.根据权利要求1或2所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影掩模图案包含的所述多个掩模分别设定有包含在预先确定的规定的范围内的所述透射率中的任一个。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
包含于所述投影掩模图案且在与所述规定的方向正交的一列中相互相邻的各个所述掩模的所述透射率互不相同。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影掩模图案包含的所述多个掩模的各自的所述透射率互不相同。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影透镜是包含于微透镜阵列的多个微透镜,该微透镜阵列能够对所述激光进行分离,
所述投影掩模图案包含的各个所述多个掩模分别对应于所述多个微透镜。
7.根据权利要求6所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影掩模图案基于所述微透镜阵列所包含的多个微透镜的各自的特性,设定有与该微透镜分别对应的所述掩模的透射率。
8.根据权利要求6或7所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影掩模图案是通过使透过所述微透镜的激光的相位变化而提高该微透镜的分辨率的相位移动掩模,
所述相位移动掩模使透过所述多个微透镜中的、基于所述分辨率而决定的微透镜的所述激光的相位变化,提高该微透镜的分辨率。
9.根据权利要求6~8中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述相位移动掩模使透过所述多个微透镜中的、分辨率相对低的微透镜的所述激光的相位变化,提高该微透镜的分辨率。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影透镜向薄膜晶体管所包含的源电极与漏电极之间粘附的非晶硅薄膜的规定的区域照射激光,来形成多晶硅薄膜。
11.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,包括:
产生激光的第一步骤;
使用投影透镜向分别粘附于玻璃基板上的多个薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光的第二步骤,该投影透镜设有投影掩模图案,该投影掩模图案包含设定有所述激光透过的比例即透射率的多个掩模;及
每当照射所述激光时,使所述玻璃基板沿规定的方向移动的第三步骤,
在第二步骤中,经由包含设定有多个所述透射率中的任一个的多个所述掩模的所述投影掩模图案,照射所述激光。
12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,
在第二步骤中,经由设定有不同的所述透射率的所述掩模随机配置的所述投影掩模图案,照射所述激光。
13.根据权利要求11或12所述的薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,
在第二步骤中,经由所述投影掩模图案来照射所述激光,该投影掩模图案包括所述掩模,该掩模设定有包含在预先确定的规定的范围内的所述透射率中的任一个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造