[发明专利]SiC单晶复合体和SiC锭

说明书

本SiC单晶复合体具备位于俯视中央的中央部和围绕所述中央部外周的外周部，所述中央部与所述外周部的结晶面倾斜或不同，在所述中央部与所述外周部之间具有边界，构成所述中央部的结晶的方向与构成所述外周部的结晶方向隔着所述边界而不同。

技术领域

本发明涉及SiC单晶复合体和SiC锭。

本申请基于2016年11月15日在日本提出申请的专利申请2016-222273号主张优先权，将其内容引用于此。

背景技术

碳化硅(SiC)与硅(Si)相比绝缘击穿电场大1位，带隙大3倍。另外，碳化硅(SiC)具有热传导率比硅(Si)高3倍左右等特性。期待碳化硅(SiC)在功率器件、高频器件、高温工作器件等中的应用。

SiC晶片是切取SiC锭而制作的。近年，随着市场需要，要求生长SiC外延膜的SiC晶片的大口径化。因此，SiC锭本身的大口径化、长度化的要求也在提高。例如，专利文献1中记载了为了扩大SiC单晶的口径而设置了锥形引导构件的单晶生长装置。

但是，如果从籽晶结晶生长出的单晶和在引导构件上生长出的多晶接触，则成为缺陷、不同种多型、开裂等的原因，使SiC锭品质劣化。

为了避免这样的问题，专利文献2中将锥形引导构件保持在高温，抑制多晶SiC在引导构件表面结晶生长。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2002-60297号公报

专利文献2：日本特开2013-166672号公报

发明内容

但是，专利文献2所记载的方法中，需要对引导构件进行加热等处理，要求更简便的方法。

本发明是鉴于上述问题而完成的，目的在于提供一种能够提供高品质SiC晶片的SiC单晶复合体和SiC锭。

本发明人专心研究的结果，发现了通过俯视时在中央部与外周部改变结晶状态，能够防止由于与多晶接触而产生的缺陷侵入到SiC晶片所用的中央部中，从而得到高品质SiC晶片。

即，本发明为了解决上述课题，提供以下手段。

(1)本实施方式一方案的SiC单晶复合体，具备：位于俯视中央的中央部、以及围绕所述中央部的外周的外周部，所述中央部与所述外周部的结晶面倾斜或不同，在所述中央部与所述外周部之间具有边界，构成所述中央部的结晶的方向与构成所述外周部的结晶的方向隔着所述边界而不同。

(2)上述方案的SiC单晶复合体中，可以是：所述中央部的结晶生长面具有相对于{0001}面为2°以上且20°以下的偏移角。

(3)上述方案的SiC单晶复合体，可以是：在与结晶生长时的偏移方向平行且穿过中心的直线和所述边界的交点，所述中央部与所述外周部的结晶面彼此以相对于所述中央部与所述外周部的边界面垂直的方向为轴倾斜2°以上。

(4)上述方案的SiC单晶复合体中，可以是：所述中央部的结晶面为(000-1)C面，所述外周部的结晶面为(0001)Si面。

(5)上述方案的SiC单晶复合体中，可以是：所述边界设置在距离所述SiC单晶复合体的外周端为所述SiC单晶复合体的直径5％以上的内侧。

(6)本发明一方案的SiC锭，具有：位于俯视中央的第1单晶、围绕所述第1单晶的外周的第2单晶、以及连接所述第1单晶与所述第2单晶的接合部，构成所述第1单晶的结晶的方向与构成所述第2单晶的结晶的方向以所述接合部为界而不同。

(7)上述方案的SiC锭中，所述第1单晶与所述第2单晶的多型可以不同。

根据本发明一方案的SiC单晶复合体，能够得到预定的SiC锭，能够得到高品质SiC晶片。