[发明专利]半导体装置和电位测量装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

参考电位产生单元和参考电位电极，所述参考电位产生单元和所述参考电位电极被构造成将参考电位提供给填充在容器中的液体；

读取电极和放大器，所述读取电极和所述放大器被构造成从所述液体读取信号；

电位提供单元，其被构造成在所述容器中填充电镀液代替所述液体，并且当对所述参考电位电极和所述读取电极执行电镀处理时，所述电位提供单元向所述参考电位电极和所述读取电极提供预定电位；

断路器，其设置在所述电位提供单元和所述读取电极之间，并且被构造成当所述容器填充有所述液体，在电位测量时在靠近所述放大器的位置处阻断来自所述电位提供单元的所述预定电位的供应，所述参考电位产生单元将所述参考电位提供给所述液体，所述读取电极从所述液体读取信号，且所述放大器放大并输出读取的信号，并且所述断路器被构造成当所述容器填充有所述电镀液并执行所述电镀处理时，提供来自所述电位提供单元的所述预定电位；以及

另一断路器，其设置在所述电位提供单元和所述参考电位电极之间，并且被构造成在所述电位测量时，在靠近所述参考电位产生单元的位置处阻断来自所述电位提供单元的所述预定电位的供应，并且当执行所述电镀处理时，所述另一断路器提供来自所述电位提供单元的所述预定电位，其中，

所述参考电位产生单元、所述参考电位电极、所述读取电极、所述放大器、所述电位提供单元和所述断路器安装在同一基板上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述断路器是场效应晶体管开关，并且在所述电位测量时，所述断路器被控制为断开，以在靠近所述放大器的位置处阻断来自所述电位提供单元的电位供应，并且当执行所述电镀处理时，所述断路器被控制为接通，以提供来自所述电位提供单元的所述预定电位。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述断路器是二极管，所述二极管的负极连接到所述电位提供单元，所述二极管的正极连接到所述放大器，并且在所述电位测量时，所述电位提供单元提供第一预定电位，且在靠近所述放大器的位置处阻断来自所述电位提供单元的电位供应，并且当执行所述电镀处理时，所述电位提供单元提供第二预定电位。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

在所述电位测量时，所述电位提供单元提供高于所述参考电位的电位作为所述第一预定电位，且在靠近所述放大器的位置处阻断来自所述电位提供单元的电位供应，并且当执行所述电镀处理时，所述电位提供单元提供低于所述电镀液的电位的电位作为所述第二预定电位。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述电位提供单元从所述放大器的电源提供所述预定电位。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，还包括：

附加二极管，其具有与所述二极管相同的特性，并且与所述二极管在同一工艺中形成，所述附加二极管的负极连接到所述二极管的正极，并且所述附加二极管的正极连接到接地电位。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述另一断路器是场效应晶体管开关，并且在所述电位测量时，所述另一断路器被控制为断开，以在靠近所述参考电位产生单元的位置处阻断来自所述电位提供单元的电位供应，并且当执行所述电镀处理时，所述另一断路器被控制为接通，以提供来自所述电位提供单元的所述预定电位。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述另一断路器是另一个二极管，所述另一个二极管的负极连接到所述电位提供单元，所述另一个二极管的正极连接到所述放大器，并且在所述电位测量时，所述电位提供单元提供第一预定电位，且在靠近所述放大器的位置处阻断来自所述电位提供单元的电位供应，并且当执行所述电镀处理时，所述电位提供单元提供第二预定电位。