[发明专利]结晶性氧化物半导体膜及半导体装置在审
| 申请号： | 201780068749.1 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109952392A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 髙桥勲;四户孝;德田梨绘;织田真也;人罗俊实 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C23C16/40;C30B25/02;H01L21/337;H01L21/338;H01L21/365;H01L21/368;H01L29/12;H01L29/24;H01L29/739;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/80 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结晶性氧化物 半导体膜 掺杂剂 成膜 刚玉 雾化 室内 半导体装置 结构晶体 晶体基板 液滴运送 原料溶液 电特性 热反应 液滴化 基板 液滴 载气 主面 | ||
1.一种结晶性氧化物半导体膜，其包含具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体作为主成分，还包含掺杂剂，所述结晶性氧化物半导体膜的特征在于，其主面为a面或m面，所述掺杂剂为n型掺杂剂。
2.根据权利要求1所述的结晶性氧化物半导体膜，其载流子密度为1.0×1018/cm3以上。
3.根据权利要求1或2所述的结晶性氧化物半导体膜，其迁移率为30cm2/Vs以上。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的结晶性氧化物半导体膜，其半值宽度为300arcsec以上。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的结晶性氧化物半导体膜，其电阻率为50mΩ·cm以下。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的结晶性氧化物半导体膜，其具有偏离角。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的结晶性氧化物半导体膜，其中，所述掺杂剂为锡、锗或硅。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的结晶性氧化物半导体膜，其中，所述掺杂剂为锡。
9.根据权利要求1～8中的任一项所述的结晶性氧化物半导体膜，其中，所述结晶性氧化物半导体包含镓、铟或铝。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的结晶性氧化物半导体膜，其中，所述结晶性氧化物半导体至少包含镓。
11.一种半导体装置，至少包含半导体层和电极，其中，权利要求1～10中的任一项所述的结晶性氧化物半导体膜被用作所述半导体层。
12.一种半导体系统，具备半导体装置，其中，所述半导体装置为权利要求11所述的半导体装置。
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