[发明专利]固体电解电容器元件、固体电解电容器以及固体电解电容器元件的制造方法有效
申请号: | 201780068619.8 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN109952626B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 小原大佑;荒川建夫;古川刚史;横山裕史;藤田吉宏;松尾正弘;伊藤英雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01G9/052 | 分类号: | H01G9/052;H01G9/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朴云龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 电解电容器 元件 以及 制造 方法 | ||
1.一种固体电解电容器元件,具备:
多孔质体;
电介质层,设置在所述多孔质体的表面;以及
固体电解质层,设置在所述电介质层的表面,
所述固体电解电容器元件的特征在于,
所述多孔质体由在表面具有Ti-Zr-X多元合金的含Ti合金粒子的烧结体构成,
所述X为从由Si、Hf、Y、Al、Mo、W、Ta、Nb以及V构成的组选择的至少一种阀金属元素,
所述Ti-Zr-X多元合金的组成为,Ti:50atm%以上且80atm%以下,Zr:8atm%以上且32atm%以下,X:1atm%以上且20atm%以下。
2.根据权利要求1所述的固体电解电容器元件,其特征在于,
所述X为Al,所述Ti-Zr-X多元合金中的X的含量为1atm%以上且20atm%以下。
3.根据权利要求1所述的固体电解电容器元件,其特征在于,
所述X为Al,所述Ti-Zr-X多元合金中的X的含量为1atm%以上且15atm%以下。
4.根据权利要求1所述的固体电解电容器元件,其特征在于,
所述X为Al,所述Ti-Zr-X多元合金中的X的含量为4atm%以上且12atm%以下。
5.根据权利要求1所述的固体电解电容器元件,其特征在于,
所述X为Al,所述Ti-Zr-X多元合金中的X的含量为10atm%以上且15atm%以下。
6.根据权利要求1所述的固体电解电容器元件,其特征在于,
所述X为Al,所述Ti-Zr-X多元合金中的X的含量为10atm%以上且12atm%以下。
7.根据权利要求1~6中的任一项所述的固体电解电容器元件,其特征在于,
所述Zr在所述Ti和所述Zr的合计中所占的含量[(Zr)/(Ti+Zr)]为9atm%以上且38atm%以下。
8.根据权利要求1~6中的任一项所述的固体电解电容器元件,其特征在于,
所述Zr在所述Ti和所述Zr的合计中所占的含量[(Zr)/(Ti+Zr)]为9atm%以上且35atm%以下。
9.根据权利要求1~6中的任一项所述的固体电解电容器元件,其特征在于,
所述Zr在所述Ti和所述Zr的合计中所占的含量[(Zr)/(Ti+Zr)]为17atm%以上且26atm%以下。
10.根据权利要求1所述的固体电解电容器元件,其特征在于,
所述X为Si,所述Ti-Zr-X多元合金中的X的含量为5atm%以上且20atm%以下。
11.根据权利要求1所述的固体电解电容器元件,其特征在于,
所述X为W,所述Ti-Zr-X多元合金中的X的含量为5atm%以上且20atm%以下。
12.根据权利要求1~6中的任一项所述的固体电解电容器元件,其特征在于,
所述含Ti合金粒子的平均粒径为10nm以上且1μm以下。
13.根据权利要求1~6中的任一项所述的固体电解电容器元件,其特征在于,
所述含Ti合金粒子是基材粒子的表面被由所述Ti-Zr-X多元合金构成的涂层被覆而成的被覆粒子。
14.根据权利要求13所述的固体电解电容器元件,其特征在于,
所述基材粒子由从由Zr、Ti、Si、Hf、Y、Al、Mo、W、Ta、Nb以及V构成的组选择的至少一种阀金属元素构成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所,未经株式会社村田制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780068619.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:扁平线圈、其制造方法和电子设备
- 下一篇:用于电极单元的电端子