[发明专利]检测和分析来自半导体腔室部件的纳米颗粒的方法和设备有效
| 申请号: | 201780068574.4 | 申请日: | 2017-11-07 |
| 公开(公告)号: | CN109923653B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
| 发明(设计)人: | 普莉娜·古拉迪雅;阿维舍克·古什;罗伯特·简·维瑟 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 检测 分析 来自 半导体 部件 纳米 颗粒 方法 设备 | ||
1.一种鉴定一半导体清洁溶液中的污染物的方法,包括以下步骤:
在清洁槽中使一半导体清洁溶液接触一半导体制造部件以形成一含有一个或多个不溶性待测分析物的排出液;
使该排出液流入微流体流动槽,该微流体流动槽具有分别承载该排出液进入及离开该微流体流动槽的第一端和第二端;以及
将来自光学设备的可调式二极管泵浦固态(DPSS)激光器的激发光束引导朝向该微流体流动槽,并将从该微流体流动槽反射的该激发光束分束成两个路径,以感测来自该一个或多个不溶性待测分析物的荧光及拉曼信号,其中该光学设备包括位于该两个路径中的第一光束路径上的增强型电荷耦合器件和位于该两个路径中的第二光束路径上的电子倍增电荷耦合器件及光栅光谱仪,该增强型电荷耦合器件执行该荧光及拉曼信号的成像,以用于颗粒计数及尺寸测量,该电子倍增电荷耦合器件及该光栅光谱仪对该荧光进行光谱色散并将该荧光投射在该电子倍增电荷耦合器件上,以用于鉴定该一个或多个待测分析物。
2.如权利要求1所述的方法,其中该一个或多个不溶性待测分析物包括一金属。
3.如权利要求2所述的方法,其中该金属为铜、金、铝、镍、铬、镍铬合金、锗、银、钛、钨、铂、钽及上述项的组合物。
4.如权利要求1所述的方法,其中该一个或多个不溶性待测分析物包括一非金属。
5.如权利要求4所述的方法,其中该非金属为一金属氧化物、金属氟化物、氮化物及上述项的组合物。
6.如权利要求1所述的方法,其中该不溶性待测分析物为悬浮颗粒。
7.如权利要求1所述的方法,进一步包括:使该排出液接触一个或多个离子选择性电极;及
鉴定一个或多个可溶性待测分析物。
8.如权利要求7所述的方法,其中该一个或多个可溶性待测分析物为从由以下项组成的群组中选择的离子:K+、Na+、Cl-、NH3、Ca2+、S2-、Ag+、Pb3+、Pb4+、NO2-、NO3-、CN-、F-及上述项的组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





