[发明专利]背侧安全屏蔽有效
申请号: | 201780068273.1 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN110121858B | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
发明(设计)人: | S·C·贝斯特 | 申请(专利权)人: | 密码研究公司 |
主分类号: | H04L9/12 | 分类号: | H04L9/12;G06F21/73;G06K19/07 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅;董典红 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 安全 屏蔽 | ||
1.一种集成电路,包括:
有源电路装置侧金属层;
背侧金属层;
在平面集成电路衬底的背侧上的第一防篡改金属结构;
至少一个硅穿孔,所述至少一个硅穿孔将所述第一防篡改金属结构连接到所述平面集成电路衬底的有源电路装置侧上的有源电路装置;和
物理上不可克隆的功能电路,所述物理上不可克隆的功能电路连接到所述有源电路装置侧金属层和所述背侧金属层以输出第一指纹值,对所述背侧金属层的电特性的修改致使所述物理上不可克隆的功能电路输出不等于所述第一指纹值的第二指纹值,
其中所述背侧金属层使用所述至少一个硅穿孔连接到所述物理上不可克隆的功能电路。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其中,对所述有源电路装置侧金属层的电特性的修改将致使所述物理上不可克隆的功能电路输出不等于所述第一指纹值的第三指纹值。
3.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述集成电路被配置为至少部分地基于所述第一指纹值导出用于所述集成电路的密码功能的密钥。
4.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述有源电路装置 侧金属层包括第一网格,所述第一网格包括多个有源电路装置侧金属线。
5.根据权利要求4所述的集成电路,其中,所述背侧金属层包括第二网格,所述第二网格包括多个背侧金属线。
6.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述第一指纹值取决于至少一个硅穿孔的电特性。
7.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述有源电路装置包括所述物理上不可克隆的功能电路,所述物理上不可克隆的功能电路被配置为至少部分地基于所述第一防篡改金属结构未被修改而输出第一指纹值,并且至少部分地基于对所述第一防篡改金属结构的修改而输出第二指纹值,所述修改改变了所述第一防篡改金属结构的电特性。
8.根据权利要求7所述的集成电路,还包括:
在所述有源电路装置侧上的第二防篡改金属结构。
9.根据权利要求8所述的集成电路,其中,所述物理上不可克隆的功能电路还被配置为至少部分地基于所述第二防篡改金属结构未被修改而输出所述第一指纹值,并且至少部分地基于对所述第二防篡改金属结构的修改而输出第三指纹值,所述修改改变了所述第二防篡改金属结构的电特性。
10.根据权利要求9所述的集成电路,其中,所述集成电路被配置为至少部分地基于所述第一指纹值提供用于所述集成电路的密码功能的密钥。
11.根据权利要求10所述的集成电路,其中,所述第一防篡改金属结构包括第一网格,所述第一网格包括多个第一金属线。
12.根据权利要求11所述的集成电路,其中,所述第二防篡改金属结构包括第二网格,所述第二网格包括多个第二金属线。
13.一种操作集成电路的方法,包括:
借助至少一个第一硅穿孔施加电刺激到背侧金属层;
借助至少一个第二硅穿孔接收对所述电刺激的响应,所述响应至少部分地基于所述背侧金属层的电特性,其中所述集成电路包括在平面集成电路衬底的背侧上的第一防篡改金属结构,并且所述至少一个第一硅穿孔和所述至少一个第二硅穿孔将所述第一防篡改金属结构连接到所述平面集成电路衬底的有源电路装置侧上的有源电路装置;以及
评估物理上不可克隆的功能,当所述背侧金属层尚未被修改时所述物理上不可克隆的功能至少部分地基于所述背侧金属层的所述电特性而输出第一指纹值,如果所述背侧金属层已被修改,则所述物理上不可克隆的功能被配置为至少部分地基于所述背侧金属层的所述电特性而输出不等于所述第一指纹值的第二指纹值。
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