[发明专利]固态成像装置、其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种固态成像装置，包括：

第一半导体层，其中形成第一光电转换单元和第一浮置扩散区；

第二半导体层，其中形成有第二光电转换单元和第二浮置扩散区；以及

布线层，包括电连接到所述第一浮置扩散区和所述第二浮置扩散区的布线，

其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层彼此层叠，以及

所述布线层形成在所述第一半导体层或所述第二半导体层的一侧上，该侧与所述第一半导体层和所述第二半导体层彼此面对的一侧相对。

2.根据权利要求1所述的固态成像装置，

其中所述第二半导体层层叠在所述第一半导体层上，并且

所述布线层形成在比所述第二半导体层更高的层中。

3.根据权利要求1所述的固态成像装置，

其中，在所述第二光电转换单元中形成等电子阱。

4.根据权利要求3所述的固态成像装置，

其中所述第二半导体层包括Si、Ge或SiGe。

5.根据权利要求3所述的固态成像装置，

其中所述第二半导体层包括III-V族化合物。

6.根据权利要求1所述的固态成像装置，

其中所述第一浮置扩散区和所述第二浮置扩散区通过分开形成的第一K通孔和第二K通孔电连接到所述布线上。

7.根据权利要求6所述的固态成像装置，

其中所述第一浮置扩散区通过所述第一接触通孔电连接到第一布线，以及

所述第二浮置扩散区通过所述第二接触通孔电连接到与所述第一布线不同的第二布线。

8.根据权利要求1所述的固态成像装置，

其中，针对每个像素形成所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元。

9.根据权利要求8所述的固态成像装置，

其中，形成所述第二光电转换单元，使得与所述第一光电转换单元的一部分或全部重叠。

10.根据权利要求1所述的固态成像装置，

其中，针对于每个像素形成所述第一光电转换单元，以及

为每组多个像素形成所述第二光电转换单元。

11.根据权利要求10所述的固态成像装置，

其中，形成所述第二光电转换单元，使得与所述多个像素的所述第一光电转换单元的一部分或全部重叠。

12.根据权利要求1所述的固态成像装置，

其中所述第二半导体层层叠在所述第一半导体层上，以及

所述布线层形成在比所述第一半导体层低的层中。

13.一种固态成像装置的制造方法，包括如下步骤:

在第一半导体层中形成第一光电转换单元和第一浮置扩散区；

在所述第一半导体层上层叠第二半导体层；

在所述第二半导体层中形成第二光电转换单元和第二浮置扩散区；以及

形成布线层，该布线层包括在所述第一半导体层或所述第二半导体层一侧电连接到所述第一浮置扩散区和所述第二浮置扩散区的布线，该侧与所述第一半导体层和所述第二半导体层彼此面对的一侧相对。

14.一种电子装置，包括:

固态成像装置，包括：

第一半导体层，其中形成第一光电转换单元和第一浮置扩散区；

第二半导体层，其中形成有第二光电转换单元和第二浮置扩散区；以及

布线层，包括电连接到所述第一浮置扩散区和所述第二浮置扩散区的布线，

其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层彼此层叠，以及

所述布线层形成在所述第一半导体层或所述第二半导体层的一侧上，该侧与所述第一半导体层和所述第二半导体层彼此面对的一侧相对。