[发明专利]形成包括竖直相对的电容器对的阵列的方法及包括竖直相对的电容器对的阵列

说明书

本发明公开一种形成包含竖直相对的电容器对的阵列的方法，其包含：在具绝缘性的材料中的个别电容器开口中形成导电内衬。移除所述导电内衬中的个别者的竖向中间部分以在所述个别电容器开口中形成彼此竖向分离及间隔的上电容器电极内衬及下电容器电极内衬。使电容器绝缘体形成在所述个别电容器开口中的所述上电容器电极内衬及所述下电容器电极内衬的横向内部。使导电材料形成在所述个别电容器开口中的所述电容器绝缘体的横向内部且竖向上介于所述电容器电极内衬之间。使所述导电材料形成为构成由所述竖直相对的电容器对中的个别者中的竖直相对的电容器共享的共享电容器电极。本发明公开独立于所述方法的额外方法及结构。

技术领域

本文中所公开的实施例是针对形成包括竖直相对的电容器对的阵列的方法及包括竖直相对的电容器对的阵列。

背景技术

存储器是一个类型的集成电路且在计算机系统中用于存储数据。可将存储器制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可称为位线、数据线、感测线或数据/感测线)及存取线(其也可称为字线)来使存储器单元被写入或从存储器单元读取。数字线可沿阵列的列导电地互连存储器单元，且存取线可沿阵列的行导电地互连存储器单元。可通过数字线及存取线的组合来唯一地寻址每一存储器单元。

存储器单元可为易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在包含计算机断电时的长时间内存储数据。易失性存储器是耗散型的且因此在许多例项中需要被每秒多次刷新/重写。无论如何，存储器单元经配置以将存储器保存或存储成至少两个不同可选状态。在二进制系统中，将状态视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储信息的多于两个级别或状态。

电容器是可用于存储器单元中的一个类型的电子组件。电容器具有由电绝缘材料分离的两个电导体。可将作为电场的能量静电地存储在此材料内。取决于绝缘体材料的组合物，所述存储电场将为易失性或非易失性的。例如，仅包含SiO₂的电容器绝缘体材料将为易失性的。一个类型的非易失性电容器是铁电电容器，其具有铁电材料作为绝缘体材料的至少部分。铁电材料的特征在于具有两个稳定极化状态且借此可包括电容器及/或存储器单元的可编程材料。铁电材料的极化状态会因施加适合编程电压而改变且在移除编程电压后保持不变(至少达一段时间)。每一极化状态具有不同于另一极化状态的电荷存储电容，且其可在不使极化状态反转的情况下理想地用于写入(即，存储)及读取存储器状态，直到期望使此极化状态反转。不幸地的是，在具有铁电电容器的一些存储器中，读取存储器状态的动作会使极化反转。相应地，在确定极化状态后，进行存储器单元的重写以在极化状态确定后使存储器单元实时进入读前状态中。无论如何，并入铁电电容器的存储器单元理想地是非易失性的，此归因于形成电容器的部分的铁电材料的双稳态特性。一个类型的存储器单元具有与铁电电容器串联电耦合的选择装置。

可将其它可编程材料用作用于使电容器呈现非易失性的电容器绝缘体。此外且无论如何，电容器的阵列可形成为存储器单元的阵列或其它集成电路中的阵列的部分。

附图说明

图1是根据本发明的实施例的过程中的衬底构造的图解横截面图且是通过图2及3中的线1-1截取的。

图2是通过图1中的线2-2截取的横截面图。

图3是通过图1中的线3-3截取的横截面图。

图4是由图1展示的处理步骤后的处理步骤中的图1构造的视图且是通过图5中的线4-4截取的。

图5是通过图4中的线5-5截取的横截面图。

图6是由图4展示的处理步骤后的处理步骤中的图4构造的视图且是通过图7中的线6-6截取的。

图7是通过图6中的线7-7截取的横截面图。

图8是由图7展示的处理步骤后的处理步骤中的图7构造的视图。

图9是由图8展示的处理步骤后的处理步骤中的图8构造的视图。