[发明专利]纳米结构化制品有效
| 申请号: | 201780066875.3 | 申请日: | 2017-10-17 |
| 公开(公告)号: | CN110178242B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
| 发明(设计)人: | 尼古拉斯·C·埃里克森;摩西·M·戴维;孙晓光;马诺耶·尼马尔;黑恩·希科劳;罗慧;赛缪尔·J·卡彭特;吉利安·M·纳尔森;贾斯廷·P·迈尔;钱之华;戴维·J·罗韦;罗伯特·L·布劳特;戴维·G·弗赖尔;海厄森斯·L·莱丘加 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;B82B1/00;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾红霞;张芸 |
| 地址: | 美国明*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米 结构 制品 | ||
1.一种纳米结构化制品,包括:
第一层,所述第一层包括纳米结构化表面,所述纳米结构化表面包括从所述第一层的基部表面延伸的多个支柱,所述支柱的平均高度大于所述支柱的平均侧向尺寸,支柱之间的平均中心至中心间距不大于2000nm,所述平均侧向尺寸不小于50nm,所述多个支柱中的每个支柱至少具有下部和上部,所述下部位于所述上部与所述基部表面之间,所述上部和所述下部具有不同的组成,所述下部具有第一折射率;
第二层,所述第二层设置在所述多个支柱上方并连续延伸到所述基部表面,所述第二层不是气体层或液体层,所述第二层具有第二折射率,
其中所述第一折射率与所述第二折射率之间的差值的绝对值在0.1至1.5的范围内,
其中所述纳米结构化表面具有功率谱密度(PSD)和波数PSD乘积,所述波数PSD乘积是在波矢量处估计的所述PSD和所述波矢量的幅值的乘积,所述波数PSD乘积的波数最大值大于6弧度/微米乘以所述第一折射率和所述第二折射率中的较大者,并且
其中对于比6弧度/微米乘以所述第一折射率和所述第二折射率中的较大者小的所有波数,所述波数PSD乘积不大于所述最大值的0.3倍。
2.一种纳米结构化制品,包括:
第一层,所述第一层包括纳米结构化表面,所述纳米结构化表面包括从所述第一层的基部表面延伸的多个支柱,所述支柱的平均高度大于所述支柱的平均侧向尺寸,支柱之间的平均中心至中心间距不大于2000nm,所述平均侧向尺寸不小于50nm,所述多个支柱中的每个支柱至少具有下部和上部,所述下部位于所述上部与所述基部表面之间,所述上部和所述下部具有不同的组成,所述下部具有第一折射率;
第二层,所述第二层设置在所述多个支柱上方并连续延伸到所述基部表面,所述第二层具有第二折射率;和
密封层,所述密封层设置在所述第二层上与所述第一层相对,
其中所述第一折射率与所述第二折射率之间的差值的绝对值在0.1至1.5的范围内,
其中所述纳米结构化表面具有功率谱密度(PSD)和波数PSD乘积,所述波数PSD乘积是在波矢量处估计的所述PSD和所述波矢量的幅值的乘积,所述波数PSD乘积的波数最大值大于6弧度/微米乘以所述第一折射率和所述第二折射率中的较大者,并且
其中对于比6弧度/微米乘以所述第一折射率和所述第二折射率中的较大者小的所有波数,所述波数PSD乘积不大于所述最大值的0.3倍。
3.根据权利要求1或2所述的纳米结构化制品,其中对于具有在10弧度/微米乘以所述第一折射率和所述第二折射率中的较大者与所述第一折射率和所述第二折射率中的较大者同0.8的和乘以13弧度/微米之间的第一幅值的任何第一波矢量,所述第一波矢量处的所述功率谱密度的局部平均值之间的最大差值在所述第一波矢量处的所述功率谱密度的环状平均值的0.7倍与1.3倍之间,
所述局部平均值为所述功率谱密度在傅里叶空间中的环状扇区上的平均值,所述环状扇区以所述第一波矢量为中心并且其内径为所述第一幅值的0.9倍、其外径为所述第一幅值的1.1倍且其夹角为60度,
所述环状平均值为所述功率谱密度在傅里叶空间中的圆环上的平均值,所述圆环的内径为所述第一幅值的0.9倍且外径为所述第一幅值的1.1倍。
4.根据权利要求1或2所述的纳米结构化制品,还包括设置成邻近所述第一层与所述第二层相对的多个层,所述多个层包括设置在两个聚合物层之间的无机层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





