[发明专利]用于检查感应负载的控制电路的方法和装置在审

专利信息
申请号: 201780066715.9 申请日: 2017-11-03
公开(公告)号: CN110023774A 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: P·厄勒;F·米歇尔 申请(专利权)人: 大陆-特韦斯股份有限公司
主分类号: G01R31/327 分类号: G01R31/327;G01R31/26;B60T8/88
代理公司: 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 代理人: 汤国华
地址: 德国法*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 感应负载 控制电路 测量和评估 方法和装置 检查
【说明书】:

发明涉及一种用于检查感应负载的控制电路的方法,其中,测量和评估一个或两个电流。本发明还涉及一种用于执行这种方法的装置。

本发明涉及一种用于检查感应负载的控制电路的方法,并且涉及一种具有这种控制电路和感应负载的装置,其中,所述装置被配置用于执行这种方法。

图1通过举例的方式示出了感应负载10和相关联的控制电路15。控制电路15被设计成以限定方式向感应负载10供应电流。

在当前情况下,感应负载10被设计成线圈。在这种情况下,例如,所述感应负载可以是继电器的线圈。流经所述线圈的电流由I线圈表示。

控制电路15具有再循环晶体管20和驱动器晶体管30。再循环晶体管20和驱动器晶体管30彼此串联连接。在这种情况下,再循环晶体管20关于图1的上极或第一极连接到供电连接件REFx。驱动器晶体管30的下极或第二极连接到地。感应负载10连接在供电连接件REFx与再循环晶体管20和驱动器晶体管30之间的电势之间。

施加到供电连接件REFx的供电电压VREFx定义了高电势,所述高电势也可以被称为HSx。两个晶体管20、30之间的电势由VOx表示。

再循环电流I冗余流经再循环晶体管20。驱动器电流I感测流经驱动器晶体管30。因为这两个晶体管20、30是感测FET,或者这类感测FET与晶体管20、30并联连接,所以可以以未更详细描述的方式来测量这两个电流I冗余、I感测

图1中示出的装置可以具体用于使用脉宽调制来致动感应负载10。

脉宽调制周期TPWM=1/fPWM通常被规定用于脉宽调制致动,其中,fPWM是频率。脉宽调制周期可以分成持续时间t导通=占空比×TPWM的导通阶段。在这种情况下,还假定被称为占空比的占空因数。此时,上升线圈电流从供电连接件REFx穿过感应负载10和导通的驱动器晶体管30朝向地流动。然后,这种导通阶段通常与持续时间t关断=(1-占空比)×TPWM的关断阶段相交替。此时,下降线圈电流流经感应负载10和导通的再循环晶体管20。

将在下文中更详细地解决电流测量。

例如,可以执行点测量,也就是说,例如在t导通/2时在驱动器晶体管30处执行点测量,以及在t关断/2时跨再循环晶体管20执行点测量。

还可以在导通阶段期间跨驱动器晶体管30测量电流,并且在关断阶段期间跨再循环晶体管20测量电流,并且可以相应地对电流求平均。为此,例如可以使用Δ-∑调制器。

对I感测的电流测量可以如已经提及的那样执行,例如借助于与驱动器晶体管30并联的感测FET。所述电流测量可以例如仅在导通阶段期间(在t导通期间)是可能的。对I冗余的电流测量可以如已经提及的那样执行,例如借助于与再循环晶体管20并联的感测FET。所述电流测量可以例如仅在关断阶段或再循环阶段是可能的。

如果阀级或者感应负载10完全断开连接,则可以关断再循环晶体管20;然后,再循环电流I冗余可以经由相应的体二极管流动。在此操作状态下,对I冗余的精确电流测量通常不可能。使用高钳位电压尽可能快速地减小线圈电流也是有利且常用的做法。这可以借助于驱动器晶体管30两端的齐纳(Zener)钳位来执行。然后,没有电流流经再循环晶体管20;对I冗余的电流测量通常不可能。

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