[发明专利]目标组件和同位素产生系统有效
| 申请号: | 201780066302.0 | 申请日: | 2017-11-06 |
| 公开(公告)号: | CN109964542B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
| 发明(设计)人: | 托马斯·埃里克松;马丁·帕纳斯特;乔纳斯·诺林 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
| 主分类号: | H05H6/00 | 分类号: | H05H6/00;G21G1/10 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;钱慰民 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 目标 组件 同位素 产生 系统 | ||
1.一种目标组件,所述目标组件用于同位素产生系统,所述同位素产生系统具有包括剥离箔的粒子加速器,所述目标组件包括:
目标主体,所述目标主体具有产生室和与所述产生室相邻的光束腔,所述产生室被配置为保持目标材料,所述光束腔通向所述目标主体的外部并且被配置为接收入射在所述产生室上的粒子光束;和
目标片,所述目标片被定位成将所述光束腔和所述产生室分离,所述目标片具有暴露于所述产生室的侧面,所述目标片被定位在所述目标主体中并且在同位素产生期间与所述目标材料接触,其中所述目标片包括石墨烯,并且其中所述目标片比所述剥离箔厚至少15倍。
2.根据权利要求1所述的目标组件,其中所述目标片包括由所述石墨烯组成的石墨烯层。
3.根据权利要求2所述的目标组件,其中所述目标片还包括相对于所述石墨烯层堆叠的室层,所述室层被定位在所述石墨烯层和所述产生室之间并且暴露于所述产生室,所述目标材料被定位在所述目标主体中并且在同位素产生期间与所述室层接触。
4.根据权利要求3所述的目标组件,其中所述室层包含惰性金属材料。
5.根据权利要求3所述的目标组件,其中所述室层包含金、铌、钽、钛或者包括金、铌、钽、钛中的一者或多者的合金。
6.根据权利要求1所述的目标组件,其中所述目标片具有至少20微米的厚度。
7.根据权利要求1所述的目标组件,其中所述目标片包括由石墨烯组成的石墨烯层,所述石墨烯层具有至少20微米的厚度。
8.根据权利要求1所述的目标组件,其中所述目标主体包括网格部分,所述网格部分设置在光束通道中,所述网格部分具有与所述目标片的前侧面相接的后侧面,所述网格部分支撑所述目标片以降低由所述产生室内压力升高而破裂的可能性。
9.一种同位素产生系统,包括:
粒子加速器,所述粒子加速器被配置为生成粒子光束,所述粒子加速器包括剥离箔;和
目标组件,所述目标组件包括目标主体,所述目标主体具有产生室和与所述产生室相邻的光束腔,所述产生室被配置为保持目标材料,所述光束腔通向所述目标主体的外部并且被配置为接收入射在所述产生室上的粒子光束,所述目标组件还包括目标片,所述目标片被定位成将所述光束腔和所述产生室分离,所述目标片具有暴露于所述产生室的侧面,所述目标材料被定位在所述目标主体中并且在同位素产生期间与所述目标片接触,其中所述目标片包括石墨烯,并且其中所述目标片比所述剥离箔厚至少15倍。
10.根据权利要求9所述的同位素产生系统,其中所述目标片包括由石墨烯组成的石墨烯层。
11.根据权利要求10所述的同位素产生系统,其中所述目标片还包括相对于所述石墨烯层堆叠的室层,所述室层定位在所述石墨烯层和所述产生室之间并且暴露于所述产生室,所述目标材料被定位在所述目标主体中并且在同位素产生期间与所述室层接触。
12.根据权利要求11所述的同位素产生系统,其中所述室层包含惰性金属材料。
13.根据权利要求11所述的同位素产生系统,其中所述目标片具有至少20微米的厚度。
14.根据权利要求11所述的同位素产生系统,其中所述目标主体包括网格部分,所述网格部分设置在光束通道中,所述网格部分具有与所述目标片的前侧面相接的后侧面,所述网格部分支撑所述目标片以降低由所述产生室内压力升高而破裂的可能性。
15.根据权利要求9所述的同位素产生系统,还包括流体控制系统,所述流体控制系统被配置为使硝酸中的68硝酸锌流入所述产生室。
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