[发明专利]电屏蔽的直流链路汇流排有效
| 申请号: | 201780066244.1 | 申请日: | 2017-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN109845422B | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
| 发明(设计)人: | T.许茨;董晓婷;P.罗伊纳 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
| 主分类号: | H05K7/14 | 分类号: | H05K7/14;H02S40/34 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 危凯权;金飞 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 屏蔽 直流 汇流 | ||
一种屏蔽的直流链路(“DC链路”)汇流排包括中央平面元件,中央平面元件包括第一表面和与第一表面轴向相对的第二表面。屏蔽的DC链路汇流排还包括设置在第一表面上的第一传导薄层和设置在第二表面上的第二传导薄层。此外,第一传导薄层和第二传导薄层电联接。
本申请请求享有2016年10月25日提交的第62/412,592号美国临时专利申请的权益,该申请由此通过引用以其整体并入。
技术领域
本文中公开的主题涉及一种用于功率电子系统的直流链路(“DC链路”)汇流排,且更具体地涉及一种用于包括快速开关功率逆变器的功率电子系统的电屏蔽的DC链路汇流排。
背景技术
至少一些DC链路用于大规模功率电子系统中以将电流从功率源传导到封壳内的系统。具体而言,一些DC链路汇流排用于将电流从电存储元件(诸如,电容器组)传导到容纳在机柜内的一个或多个功率逆变器。在机柜内,功率逆变器将直流转换成交流以用作电功率。
许多已知的功率逆变器包括快速开关半导体开关元件,诸如,碳化硅(“SiC”)半导体开关元件。这种半导体开关元件能够通过增加的开关频率降低开关损耗,且因此提供优于更常规的功率逆变器的优点。然而,快速开关功率逆变器的增加的开关频率和/或增加的转换速率可能导致较高频率噪声的产生,该噪声可能流到DC链路汇流排上,使许多常规的DC链路汇流排充当天线发射器。
发明内容
在一个方面,提供了一种屏蔽的直流链路(“DC链路”)汇流排。屏蔽的DC链路汇流排包括中央平面元件,中央平面元件包括第一表面和与第一表面轴向相对的第二表面。屏蔽的DC链路汇流排还包括设置在第一表面上的第一传导薄层和设置在第二表面上的第二传导薄层。此外,第一传导薄层和第二传导薄层电联接。
在另一方面,提供了一种功率转换系统。功率转换系统包括多个电容器、至少一个功率逆变器,以及屏蔽的DC链路汇流排,屏蔽的DC链路汇流排电联接到该多个电容器和该至少一个功率逆变器。屏蔽的DC链路汇流排包括中央平面元件,中央平面元件包括第一表面和与第一表面轴向相对的第二表面。屏蔽的DC链路汇流排还包括设置在第一表面上的第一传导薄层和设置在第二表面上的第二传导薄层。此外,第一传导薄层和第二传导薄层电联接。
在又一方面,提供了一种功率生成系统。功率生成系统包括功率源、多个电容器、至少一个功率逆变器,以及屏蔽的DC链路汇流排,屏蔽的DC链路汇流排电联接到功率源、该多个电容器和该至少一个功率逆变器。屏蔽的DC链路汇流排包括中央平面元件,中央平面元件包括第一表面和与第一表面轴向相对的第二表面。屏蔽的DC链路汇流排还包括设置在第一表面上的第一传导薄层和设置在第二表面上的第二传导薄层。此外,第一传导薄层和第二传导薄层电联接。
附图说明
当参照附图阅读以下详细描述时,本公开内容的这些和其他特征、方面和优点将变得更好理解,附图中相似的标号代表附图各处相似的部分,其中:
图1是包括屏蔽的直流链路(“DC链路”)汇流排的示例性功率转换系统的透视图;
图2是容纳图1中示出的DC链路汇流排的机柜的内部的前视图;
图3是图1中示出的DC链路汇流排的分解图;
图4是图1中示出的DC链路汇流排的中央平面元件的分解图;
图5是图1中示出的DC链路汇流排的顶视图;以及
图6是容纳图1的DC链路汇流排的机柜的内部的前视图,其中DC链路汇流排电联接到机柜。
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