[发明专利]静电夹持的边缘环

说明书

提供了一种通过中心孔与静电晶片吸盘和静电环吸盘一起使用的边缘环，所述静电环吸盘具有冷却槽和环夹持电极以及用以调节所述边缘环的温度的至少一个环背面温度通道。所述边缘环包括：边缘环体，其放置在具有环夹持电极的所述静电环吸盘上，其中所述边缘环体包括导电部分，当所述边缘环体放置在所述静电环吸盘上时，导电部分放置在所述环夹持电极上；和第一弹性体环，其整合到所述边缘环体的第一表面上并且围绕所述第一表面的中心孔，其中当所述边缘环体放置在所述静电环吸盘上时，所述第一弹性体环用于密封所述冷却槽。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年11月3日提交的美国申请No.15/343,010的优先权，其通过引用结合于此以用于所有目的。

背景技术

本公开涉及用于等离子体处理衬底的方法和装置。更具体地，本公开涉及用于将边缘环夹持在等离子体处理室中的方法和装置。

在等离子体处理中，具有边缘环的等离子体处理室可用于提供改进的工艺控制。

发明内容

为了实现上述目的并根据本公开的目的，提供一种用于在等离子体处理室中利用静电环夹持件静电夹持边缘环的方法，该静电环夹持件具有用于向所述边缘环提供气流以调节温度的至少一个环背面温度通道。向所述至少一个环背面温度通道提供真空。测量所述至少一个环背面温度通道中的压强。当所述至少一个环背面温度通道中的所述压强达到阈值最大压强时，提供静电环夹持电压。中断所述至少一个环背面温度通道的所述真空。测量所述至少一个环背面温度通道中的压强。如果所述至少一个环背面温度通道中的压强上升快于阈值速率，则表明密封失效。如果所述至少一个环背面温度通道中的压强上升没有比所述阈值速率快，则继续等离子体处理，使用所述至少一个环背面温度通道来调节所述边缘环的温度。

在另一种表现形式中，提供了一种通过中心孔与静电晶片吸盘和静电环吸盘一起用于等离子体处理室中的边缘环，该静电环吸盘具有围绕所述中心孔的冷却槽和在所述冷却槽下方的环夹持电极以及用于向所述冷却槽提供气流以调节所述边缘环的温度的至少一个环背面温度通道。所述边缘环包括：具有第一表面的边缘环体，所述第一表面用于放置在具有环夹持电极和所述至少一个环形背面温度通道的所述静电环吸盘上，其中所述边缘环体包括导电部分，当所述边缘环体放置在所述静电环吸盘上时，所述导电部分放置在所述环夹持电极上，其中所述第一表面具有中心孔；和第一弹性体环，其整合到所述第一表面上并且围绕所述边缘环体的所述第一表面的所述中心孔，其中当所述边缘环体放置在所述静电环吸盘上时，所述第一弹性体环用于密封所述冷却槽。

本发明的这些特征和其它特征将在下面在本发明的详细描述中并结合以下附图进行更详细的描述。

附图说明

在附图中以示例而非限制的方式示出了本公开，并且附图中相同的附图标记表示相似的元件，其中：

图1是具有实施方式的等离子体处理室的示意性剖视图。

图2是可以用于实施一实施方式的计算机系统的示意图。

图3是图1所示的蚀刻环和静电环吸盘的放大视图。

图4是一实施方式的边缘环的仰视图。

图5是一实施方式的流程图。

图6是另一实施方式中的ESC系统和衬底的一部分的放大图。

具体实施方式

现在将参考附图中所示的几个优选实施方式来详细描述本发明。在下面的描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的彻底理解。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，本发明可以在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实施。在其他情况下，未详细描述公知的工艺步骤和/或结构，以免不必要地使本发明不清楚。