[发明专利]电流源噪声抵消

说明书

至少一些实施例涉及一种系统(100)，其包括具有第一和第二输出节点(126、128)的差分开关网络(103)、耦合到所述网络(103)的第一和第二晶体管(110、116)，以及耦合到所述第一和第二晶体管(110、116)的第一和第二电阻器(108、114)。所述DAC(100)还包括耦合到所述第一电阻器(108)的电压源(106)和耦合到所述第二电阻器(114)的接地连接(112)。所述DAC(100)进一步包含耦合到所述第一和第二晶体管(110、116)并且耦合到所述第二电阻器(114)的电容器(132)。

背景技术

各种电气组件，例如电流缓冲器和数/模转换器(DAC)，含有电流源。这些电流源通常含有调节电流流出电流源的晶体管。在许多情况下，这些晶体管不当地将噪声引入电流，例如，由传导低频信号的晶体管引起的闪烁噪声。可以将大阻抗构建到电流源中以抑制噪声；然而，这种阻抗在例如智能手机之类的低功率应用中是不切实际的，因为必须有大电压供应来补偿阻抗的增加。因此，这种电流源噪声仍然存在问题，特别是在低功率应用中。

发明内容

至少一些实施例涉及一种系统，所述系统包括带第一和第二输出节点的差分开关网络、耦合到所述网络的第一和第二晶体管，以及耦合到所述第一和第二晶体管的第一和第二电阻器。DAC还包括耦合到所述第一电阻器的电压源和耦合到所述第二电阻器的接地连接。所述DAC进一步包含耦合到所述第一和第二晶体管且耦合到所述第二电阻器的电容器。

附图说明

为了详细描述各种实例，现将参考附图，在附图中：

图1是根据实施例的示意性数/模转换器电流源(DAC)的电路示意图。

图2是根据实施例的另一示意性DAC的电路示意图。

图3是根据实施例的示意性电流缓冲系统的电路示意图。

图4是根据实施例的另一示意性电流缓冲系统的电路示意图。

图5是根据实施例的又一示意性电流缓冲系统的电路示意图。

具体实施方式

本文公开的至少一些实施例包含互补电流源，其包括晶体管，例如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，所述晶体管以这样的方式配置，使得流过所述电流源中的每一者的噪声电流大致相等。由于噪声电流大致相等，因此它们相互抵消或至少导致基本上衰减的噪声水平。至少一些此类实施例包含在互补电流源中的每一者中的MOSFET之间的交流电(AC)耦合。其它实施例包含在互补电流源中的每一者中的MOSFET之间的直流电(DC)耦合。下文参考附图更详细地描述MOSFET与AC和DC耦合的精确配置。各种实施例可以实施于电流缓冲器、数/模转换器和其它类型的电流源中，并且其可以应用于各种电子系统中的任何一种。