[发明专利]磁光元件及其制造方法

说明书

本发明提供一种容易使光频隔离器小型化的磁光元件。该光磁元件的特征在于，由2个以上的磁性部件接合而成。

技术领域

本发明涉及适于光频隔离器、光环行器、磁传感器等的磁设备的磁光元件及其制造方法。

背景技术

已知含有Tb₂O₃等的顺磁性化合物的玻璃材料显示磁光效应之一的法拉第效应。法拉第效应是指使通过置于磁场中的材料的直线偏光的偏光面旋转的效应。这样的效应能够在光频隔离器、磁场传感器等中利用。

由法拉第效应引起的旋光度(偏光面的旋转角)θ在将磁场的强度记为H、偏光所通过的元件的长度记为L时，通过以下的式子表示。式中，V是依赖于物质的种类的常数，称为韦尔代常数。韦尔代常数在为抗磁性体是为正的值，在为顺磁性体时为负的值。韦尔代常数的绝对值越大时、元件的长度越时或者越使磁石大型化(增强磁场)时，旋光度的绝对值越大，作为结果，显示出大的法拉第效应。为了使光频隔离器小型化，使用韦尔代常数大的材料是最有效的。

θ＝VHL

目前，作为显示法拉第效应的玻璃材料，已知有SiO₂－B₂O₃－Al₂O₃－Tb₂O₃系的玻璃材料(参照专利文献1)、P₂O₅－B₂O₃－Tb₂O₃系的玻璃材料(参照专利文献2)或P₂O₅－TbF₃－RF₂(R为碱土金属)系的玻璃材料(参照专利文献3)等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特公昭51－46524号公报

专利文献2：日本特公昭52－32881号公报

专利文献3：日本特公昭55－42942号公报

发明内容

发明所要解决的课题

上述的玻璃材料中，通过增加顺磁性化合物的含量，能够得到韦尔代常数大的材料。但是，随之变得难以玻璃化，只能得到非常小的玻璃材料。作为结果，为了得到所期望的法拉第效应，需要使磁石大型化(增强磁场)，反而导致光频隔离器大型化。

鉴于以上事实，本发明的目的在于提供一种容易使光频隔离器小型化的磁光元件。

用于解决课题的方法

本发明的磁光元件的特征在于由2个以上的磁性部件接合而成。通过接合2个以上的磁性部件，容易得到大的磁光元件。因此，本发明的磁光元件即使在例如使用难以玻璃化的玻璃材料作为磁性部件时，也能够确保所需要的长度，能够得到大的法拉第效应。因此，能够使磁石小型化，所以容易使光频隔离器小型化。

本发明的磁光元件中，优选磁性部件为玻璃材料。

本发明的磁光元件中，优选玻璃材料相互熔接接合。

本发明的磁光元件中，玻璃材料中，作为组成，优选以质量％计含有Tb₂O₃ 78％以上。如上所述，由于大量含有Tb₂O₃，韦尔代常数的绝对值变大。其结果，显示大的法拉第效应。

本发明的磁光元件能够作为法拉第旋转元件使用。通过用于上述的用途，能够享受本发明的效果。

本发明的磁光元件的制造方法的特征在于对2个以上的玻璃材料进行加热使其熔接接合。