[发明专利]用于处理表面的方法和系统

权利要求书

1.一种对开口主体的表面施加处理的方法，所述开口主体具有在所述开口主体的内部的容积，所述方法包括：

提供内部结构，所述内部结构成形为与所述开口主体的内部的形状互补，并填充所述容积的主要部分或所述开口主体的内部的宽度的主要部分；

将所述内部结构定位在所述开口主体内，以形成处理流体内部容积，所述处理流体内部容积包括面对所述开口主体的内部内的内表面的内部空间；和

将处理流体引入到所述处理流体内部容积中，从而通过使用所述处理流体施加所述处理来改变所述开口主体的所述内表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述内部结构是可充胀的，并且其中，定位所述内部结构的所述步骤包括将所述内部结构充胀。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述内部结构是刚性的。

4.根据权利要求1、2或3所述的方法，包括：

提供成形为与所述开口主体互补且容纳所述开口主体的罐；

将所述开口主体定位在所述罐内，以形成处理流体外部容积，所述处理流体外部容积包括面对所述开口主体的所述外表面的外部空间；和

将所述处理流体引入到所述处理流体外部容积中，从而通过使用所述处理流体施加所述处理来改变所述开口主体的所述外表面。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述罐被布置成使得所述处理流体外部容积跨越所述罐的内部的宽度的小于20％，并且所述外部空间相应地被定尺寸。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，施加所述处理包括涂布、清洁或官能化所述开口主体的所述表面。

7.根据权利要求4或5所述的方法，其中，施加所述处理流体包括等离子体，并且所述方法包括生成所述等离子体。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，使用所述内部结构、所述开口主体和所述罐中的至少两个作为电极来生成所述等离子体。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括向所述处理流体和/或开口主体施加超声波和/或热量。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括在所述处理流体存在时或在移除所述处理流体之后，将紫外(UV)辐射施加到施加到所述开口主体的所述表面的所述处理流体。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括所述处理流体的离心和/或压缩。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括通过对所述处理流体容积施加真空来辅助所述处理流体的所述引入和/或移除。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括通过向所述处理流体容积施加高压流体和/或通过所述开口主体的转动来帮助所述处理流体的所述引入和/或移除。

14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述内部结构包括用于刷洗所述开口主体的所述内表面的可缩回刷子，并且所述方法包括使用所述刷子清洁所述内表面。

15.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述内部结构包括用于将流体施加到所述开口主体的所述内表面的喷嘴。

16.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括使用电化学作用和/或等离子体来帮助所述开口主体的清洁、官能化或涂布。

17.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述内部结构被布置成使得所述处理流体内部容积跨越所述开口主体的内部的宽度的小于20％，并且所述内部空间相应地被定尺寸。