[发明专利]化合物半导体器件

说明书

在衬底(1)之上形成有半导体层(2、3)。在半导体层(3)之上形成有栅极电极(4)、源极电极(5)以及漏极电极(6)。第1钝化膜(7)覆盖栅极电极(4)以及半导体层(3)。源极场板(9)形成于第1钝化膜(7)之上，从源极电极(5)延伸至栅极电极(4)和漏极电极(6)之间。第2钝化膜(10)覆盖第1钝化膜(7)以及源极场板(9)。第1钝化膜(7)具有准导电性薄膜(8)，该准导电性薄膜(8)至少形成于栅极电极(4)和漏极电极(6)之间，电阻率为1.0Ω·cm～10¹⁰Ω·cm。

技术领域

本发明涉及一种化合物半导体器件，该化合物半导体器件在暴露于高能粒子的严苛环境下也不易损坏以及老化。

背景技术

作为MES-FET或HEMT等场效应晶体管而使用化合物半导体器件(例如，参照专利文献1～6)。有时器件暴露于严苛环境下，高能粒子射入，从钝化膜、源极场板、器件的有源区域穿过，到达衬底。此时，在高能粒子所穿过的轨迹周围产生大量的电子-空穴对，对应于材料的迁移率、复合速度、施加电压而进行扩散、复合。

专利文献1：日本特开平02-113538号公报

专利文献2：日本特开2006-253654号公报

专利文献3：日本特开2008-243943号公报

专利文献4：日本特开2010-67693号公报

专利文献5：日本特开2011-243632号公报

专利文献6：日本特开2015-170821号公报

发明内容

在源极场板的漏极电极侧的端部和AlGaN沟道层之间施加高电场。因此，如果高能粒子射入而在钝化膜内产生大量的电子-空穴对，则在该部分形成导通路径而导致损坏。或者存在如下问题，即，在半导体内产生的电子-空穴对的扩散、复合过程中半导体表面附近的空穴浓度升高，引起电位的升高或空穴电流的增加而导致损坏或易于老化。相同地，在栅极电极的漏极电极侧的端部和AlGaN沟道层之间也施加高电场，存在容易损坏或老化的问题。

本发明就是为了解决如上所述的课题而提出的，其目的在于得到一种即使在暴露于高能粒子的严苛环境下也不易损坏以及老化的化合物半导体器件。

本发明涉及的化合物半导体器件的特征在于，具有：衬底；半导体层，其形成于所述衬底之上；栅极电极、源极电极以及漏极电极，它们形成于所述半导体层之上；第1钝化膜，其覆盖所述栅极电极以及所述半导体层；源极场板，其形成于所述第1钝化膜之上，从所述源极电极延伸至所述栅极电极和所述漏极电极之间；以及第2钝化膜，其覆盖所述第1钝化膜以及所述源极场板，所述第1钝化膜具有准导电性薄膜，该准导电性薄膜至少形成于所述栅极电极和所述漏极电极之间，电阻率为1.0Ω·cm～10¹⁰Ω·cm。

发明的效果

在本发明中，第1钝化膜具有准导电性薄膜，该准导电性薄膜至少形成于栅极电极和漏极电极之间，电阻率为1.0Ω·cm～10¹⁰Ω·cm，根据上述特征得到如下效果，即，即使在暴露于高能粒子的严苛环境下也不易损坏以及老化。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1涉及的化合物半导体器件的剖面图。

图2是表示对比例涉及的化合物半导体器件的剖面图。

图3是表示本发明的实施方式2涉及的化合物半导体器件的剖面图。

图4是表示本发明的实施方式3涉及的化合物半导体器件的剖面图。

具体实施方式

参照附图对本发明的实施方式涉及的化合物半导体器件进行说明。针对相同或对应的结构要素，标注相同的标号，有时省略重复的说明。